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本文介绍了GL1221型硅(锂)X射线探测器管芯的制造工艺及与之相配合的脉冲光反馈低温前置放大器。探测器系统的能量分辨率为165eV(对~(55)Fe 5.89keV Mn-KaX射线),计数率为1020cps,电子学噪声104eV。该指标已达到国外同类产品的商品水平。 相似文献
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文中介绍了用新工艺制成的新结构金硅面垒型探测器的主要性能。灵敏面积为300mm~2的这种探测器,在室温下,当偏置电压为300V时,反向电流最好为0.09μA;能量分辨率可达16.8keV(FWHM,~(241)Am源)。本文对新工艺的特点、测试仪器及原材料质量等主要问题作了讨论。 相似文献
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