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1.
钨吸附过程阴离子分布规律及局部淋洗研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用分部位解吸的方法研究了钨吸附过程终了WO_4~(2-)、MoO_4~(2-)及砷阴离子在交换柱上的分布规律,通过解吸曲线和交换柱分布曲线叠合比较,定性地确定了解吸反应速度Uwo_4~(2-)相似文献
2.
NH_4Cl-NH_3·H_2O-H_2O系仲钨酸铵结晶动力学Ⅱ仲钨酸铵蒸发结 总被引:2,自引:0,他引:2
万林生 《中国有色金属学报》1995,(1)
用最终产品粒度组成与晶体生长速率结合的方法研究了仲钨酸铵(APT)成核速率。通过图解法和计算,得出了不同溶液组成、加热强度和搅拌转速下APT结晶成核期、最大成核速率出现时间、成核速率最大值、生成晶核总数、最大可能粒径、成核期结束时的固相析出率等特征参数,井探讨了各种条件的影响机理。研究表明:NH4C1的掺入使APT成核速率加快、成核期延长;快速搅拌引起APT成核中后期二次晶核大量产生。 相似文献
3.
在探明球形APT结晶原理的基础上,研究了结晶温度、搅拌转速、料液补加方式及补加速度等因素对仲钨酸铵晶体球化的影响. 相似文献
4.
5.
6.
作者用数理统计方法求出了尼库拉则-卡门方程的近似求解公式。用新的近似式计算光滑管摩擦系数比原公式简单。在整个公式适用范围内,近似式与原式计算值之间的最大相对误差的绝对值不超过0.7%。 相似文献
7.
8.
<正> 可擦除、可编程只读存贮器(EPROM)是一种半导体存贮器件,它具有集成度高、价格低廉、便于编程及能多次使用等优点。在顺序控制器中,采用这种器件取代传统的步进式和时序式顺序控制器中的矩阵板来进行工艺信息的记忆存贮,无疑对顺序控制器的结构和性能均有明显的改进。 相似文献
9.
仲钨酸铵晶体生长机理及形态研究 总被引:4,自引:0,他引:4
研究了掺入NH4Cl下仲钨酸铵(APT)的晶形变化,探讨了生长机理与晶体生长速率(LN)的关系,计算LN值时采用了将最终产品粒度组成与生长质量速率结合的方法,结果表明:NH3.H2O-H2O系APT按二维成核或位错机理生长,晶体表面光滑,层状结构明显,部分小晶体具有螺卷状结构,NH4Cl-NH3.H2O-H2O系APT生长则为二维成核或以最微小粒子集聚的连续生长机制,大颗普晶体表面粗糙多孔,晶面界 相似文献
10.
通过不同结晶条件下仲钨酸铵(APT)成核速率和晶体生长速率变化关系的研究,探讨了起始钨浓度,NH4Cl浓度以及搅拌对APT产品Fsss粒度,粒度分布以及均一性的影响。剖析了不同结晶器中,APT晶体特性变化的流体动力学和热动力学原因。 相似文献