首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6515篇
  免费   338篇
  国内免费   254篇
电工技术   730篇
综合类   487篇
化学工业   641篇
金属工艺   395篇
机械仪表   618篇
建筑科学   681篇
矿业工程   189篇
能源动力   132篇
轻工业   565篇
水利工程   230篇
石油天然气   371篇
武器工业   89篇
无线电   609篇
一般工业技术   402篇
冶金工业   234篇
原子能技术   64篇
自动化技术   670篇
  2024年   41篇
  2023年   122篇
  2022年   137篇
  2021年   130篇
  2020年   129篇
  2019年   144篇
  2018年   144篇
  2017年   62篇
  2016年   83篇
  2015年   109篇
  2014年   274篇
  2013年   180篇
  2012年   240篇
  2011年   242篇
  2010年   220篇
  2009年   225篇
  2008年   268篇
  2007年   282篇
  2006年   330篇
  2005年   333篇
  2004年   304篇
  2003年   296篇
  2002年   218篇
  2001年   192篇
  2000年   237篇
  1999年   240篇
  1998年   195篇
  1997年   182篇
  1996年   196篇
  1995年   185篇
  1994年   164篇
  1993年   147篇
  1992年   130篇
  1991年   124篇
  1990年   115篇
  1989年   104篇
  1988年   37篇
  1987年   44篇
  1986年   30篇
  1985年   50篇
  1984年   38篇
  1983年   37篇
  1982年   32篇
  1981年   36篇
  1980年   15篇
  1979年   12篇
  1978年   11篇
  1977年   6篇
  1964年   7篇
  1956年   5篇
排序方式: 共有7107条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
回热损失对磁斯特林制冷循环制冷率的影响   总被引:7,自引:0,他引:7  
从铁磁质的磁化强度一般表示式出发,探讨热阻和回热损失对磁斯特林制冷循环性能的影响,导出最大制冷率及其它性能参数。得到了结果适用于以顺磁质为工质的磁斯特林制冷循环。并指出在理想回热条件下的结论也适用于磁卡诺制冷循环。  相似文献   
2.
3.
小诀窍两则     
一、滚刀去毛刺硬质合金滚刀刃磨后去毛刺工作量大,质量又难以保证。市劳动模范杜关荣采取将刃磨后的滚刀置于盛满拌有研磨剂泡沫塑料的容器中(泡沫塑料颗粒尺寸为最佳,可用包装用过的废料剪断使用)。并使滚刀以每分钟500转左右的速度在泡沫塑料中旋转,3分钟后,滚刀上毛刺全部被清除,质量令  相似文献   
4.
紧密纺纱综述   总被引:4,自引:0,他引:4  
紧密纺纱系统(Compact Spinning System)是在环锭纺纱技术基础上进行突破性改进而成。并由瑞士立达公司、德国苏逊公司首先将产品推进市场。Ernst Fehrer博士提出了紧密纺纱工艺理论,即消灭纺纱三角区,提高纱的强力,减少毛羽和飞花,以及改善环锭纺工作性能。紧密纺一经推出,深受各方关注与肯定。  相似文献   
5.
介绍了变频调速器在造纸浆料配比输送设备中的使用,通过自动调速达到了稳定生产工艺和保证纸产品质量的目的。  相似文献   
6.
日本葡萄业的最新成就严大义(沈阳农业大学110161)中国农学会葡萄技术访日团一行五人,于1995年10月4日至15日,对日本主要葡萄产区山形、山梨、长野三县和东京都进行为期10大的考察访问,其间参观了县立农业(园艺、果树)试验场、葡萄研究所、葡萄专...  相似文献   
7.
8.
吴正立  严利人 《微电子学》1996,26(3):189-191
隧道小孔中超薄SiO2的生长是EEPROM电路制造的关键工艺之一。采用SUPREM-Ⅲ工艺模拟程序对超薄SiO2的热生长进行了工艺模拟,经过大量的工艺实验及优化,确定了超薄SiO2的最佳生长条件,生长出的SiO2性能良好,完全可满足EEPROM研制的要求。  相似文献   
9.
吴正立  严利人 《微电子学》1996,26(4):247-249
为了讨论了问题方便,定义了两种P-N:“漏P-N结”和“单纯P-N结”。分析了二者击穿电压相关因素的差别,认为“漏R-N结”击穿电压与沟道区杂质浓度密切相关。EEPROM的研制中,要求“漏P-N结”击穿电压≥20V,即沟道区杂质浓度要低到一定的程度,而同时又必须保证一定的开启电压,即沟道区杂质浓度要高到一定的程度,通过分析与实验,提出了解决这一矛盾的通用原则。  相似文献   
10.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号