GaAs闭管热氧化自生氧化膜的生长及其特性的研究

本文在初步探索了闭管热氧化法生长GaAs自生氧化膜生长条件的基础上,进一步对薄膜的生长规律进行了研究。实验发现在As_2O_3过量的条件下,自生氧化膜的厚度可达1μm以上,其生长速率大约为1000A/hr。同时也开展了对氧化膜的化学稳定性、光学、电学特性以及对杂质Zn的掩蔽扩散特性的初步研究,并利用平面工艺试制了具有变容管特性的样管。     

给鼠标右键“减负”

当计算机使用了一段时间,因装了很多程序,常常会造成鼠标右键菜单中“新建”菜单的长度增加。如果想减轻“新建”菜单的负担,我们可以通过修改注册表来实现,如删除右键菜单中的一些项目。首先,我们要知道欲删除的这个项目新建的是什么类型的文件,如“WinZip File”新建文件