宽温区标准锗电阻温度计

为建立我国低温温标提供保存和传递温标及内插工具,研制了1～40(100)K宽温区二次标准锗电阻温度计。用于宽温区的锗电阻温度计,其电阻温度关系必须呈现“软”过渡特性,并能用一个合适的数学分析式以足够的精度拟合电阻—温度关系;同时,作为二次标准温度计使用,必须具备高的复现性。本文着重给出了上述方面的初步研制结果。     

高精度单晶硅互换热敏电阻

<正> 市售单晶硅通常都掺有一定数量的浅施主或浅受主杂质。由于这些杂质在禁带中引入的能级距带边很近(0.045eV),在常温下这些能级上的电子(或空穴)都已电离成为自由载流子。因此这种单晶硅的电阻率随温度的变化不大。但若在这种单晶硅中再掺入一定数量的     

SiC烧结体高温热敏材料

本文介绍了一种新的廉价的高温热敏材料——重掺杂高补偿碳化硅烧结体.利用廉价工业碳化硅,经过粉碎、提纯,然后加入少量结合剂.在相对较低的温度(1500℃)烧结制得了强度很高的碳化硅烧结体。通过控制双掺杂达到重掺杂高补偿,从而使该材料在室温～900℃范围电阻温度特性曲线光滑、连续过渡,不发生明显拐折。该材料可供作室温～900℃使用的热敏材料.     

n型硅掺Pt 的转型效应及其对制造高互换性热敏电阻的应用

根据 Shockley 统计规律,用数值计算方法对深能级杂质 Pt 在 n 型硅晶体中的掺杂转型效应进行了定量描述.得到费米能级(E_F)随掺 Pt 浓度的变化关系及转型后 E_F 的钉扎位置.E_F 钉扎后,材料的电导激活能和电阻率趋于固定值,有利于制作高互换性、高稳定性热敏电阻。从实验上证实了 n 型硅掺 Pt 的转型效应。使掺 Pt 硅单晶热敏电阻 B 值的平均偏差<0.4%,阻值稳定性(100℃老化1000h)(△R)/R<0.15%。