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采用了双极晶体管作为双极工艺的测试结构,将在线工艺的统计分析理论应用于双极工艺,研制了双极工艺的统计分析软件。最后给出了双极工艺的某些分析结果。 相似文献
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同步复用和映射方法是SDH最具特色的内容之一,2.048Mbit/s支路信号复用映射进入STM-1帧是欧洲体制的SDH(如我国所采用的体制)最基本的工作过程。本文系统分析2.048Mbit/s支路信号复用映射进入STM-1帧的过程。 相似文献
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随着大规模集成电路的发展,已经提出了多种MOS器件阈电压模型.然而,由于该种器件沟道区往往有离子注入,通常采用某些近似来模拟掺杂分布,这样得到的阈电压表示比较粗糙,且不太实用.为解决这一问题,本文提出了等效浓度的概念以及计算方法,在此基础上得到了一种新的阈电压模型,并指出了具体确定阈电压的步骤,数值结果与两维模拟基本一致.该方法与通常方法相比具有简单实用的特点. 相似文献
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精确计算和模拟压力膜片上位移和应力分布是为设计高性能压力传感器的重要环节。实际压力传感器具有异性腐蚀形成硅杯的三维结构,存在不同介质层的热应力与弹性体本身的各向异性问题等。过去计算应力分布的数值方法通常采用有限差分法和有限元法,80年代发展起来的边界元法(BEM)有其独特的优点,此法使求解问题的维数降低一维,它只需将表面离散化,大大减少了方程个数和输入数据。并且引入了方程算子的基本解,具有离散和解析相结合的特点,数值精度一般优于各有限元法。本研究利用边界元法计算了具有腐蚀硅杯的三维矩形膜片的位移和应力分布,和有限元法模拟程序SAP与的计算结果吻合。在此基础上,计算压敏电阻的平均应力,结合版图设计规则优化了压力传感器的设计,提高了器件性能。 相似文献
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<正> 一、引言 多晶硅作为一种压阻材料,可以通过化学汽相淀积工艺淀积在陶瓷,玻璃,SiO_2,Si_3N4等绝缘材料上,从而制造出一种SOI结构的压力传感器,选种特性为高温压力传感器和更为灵敏的触敏传感器提供可靠的工艺基础。 多晶硅压力传感器避免了扩散型压力传感器的pn结漏电问题,展宽了器件的工作温度范围,高温可达200℃。同时多晶硅电阻的温度系数随掺杂浓度可调,在一定掺杂水平可制造 相似文献
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本文提出了应用复变函数的概念,对非规则半导体器件耗尽区进行适当变换,得到了研究非规则反偏pn结区的两维问题的新方法,并应用了自洽的耗尽区逻辑判别,计算了一种实际器件结构,得到了可行的结论.本文为非规则半导体pn结区的两维模拟提供了一种新的途径. 相似文献
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本文介绍黑龙江省SDH干线网存在的2000年问题及解决方案,并给出了对改造后的SDH设备的测试结果,为黑龙江省SDH干线网2000年问题进一步的研究和测试提供了依据。 相似文献
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本文介绍一种高温热氧化工艺的统计模拟方法,并在此基础上对一种具体氧化工艺进行了计算和分析,指出了合理选择工艺参数的途径,对小尺寸集成电路器件的制造具有一定实际意义。 相似文献