制作砷化镓微波器件的改进方法

用于制作 n 型砷化镓接触的合金工艺能够得到改进,这是通过有意地控制熔化了的合金在冷却过程中的温度梯度来实现的。去掉金属合金之后,任意选取的金属膜都能用于与合金过程中产生的再结晶 GaAs 层的接触。     

用激光形成Ⅲ—V族化合物半导体的欧姆接触

本文报导了采用聚焦激光束在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体表面上形成欧姆接触。我们利用脉冲红宝石激光器(λ=0.6943微米),脉冲钇铝石榴石激光器(λ=1.06微米)和Q-开关CO_2激光器(λ=10.6微米)的脉冲群,已在几种Ⅲ—Ⅴ族化合物(Gap,GaAs,GaSb,InAs和InSb)上形成了“欧姆”接触。初步结果表明,只有波长落在半导体吸收带内(自由载流子吸收或带到带跃迁区)的那些激光器能够成功地用于这种目的。用这种方法制作的接触所给出的欧姆特性类似于用常规技术得到的特性。用这种方法制备欧姆接触不需要任何特殊的表面制备,而且,因为加热被限制在局部的表面区,因此,它对器件的结特性没有影响。     

高性能系统设计需考虑的问题及解决方法

对于高性能的系统，当时钟加到２００ＭＨｚ或３００ＭＨｚ时，印制板的特性与加２５ＭＨｚ，３３ＭＨｚ或５０ＭＨｚ是完全不同的，系统的某一部分可能被触发到时序之外，存储器堆栈可能出现闩锁数据错误，低压器件可能变得很热，甚至在高时钟频率下，ＩＣ引线框架，接插件及ＰＣＢ线迹都可能变小型无线发射天线，其信号在系统中各处传输，使系统不能正常工作。为了克服这些问题，系统设计者首先必须深入了解高性有系统可能出现的各     

量子计算机

本文简要介绍以量子力学为理论基础的量子信息特征、量子计算机的存储单元－量子位、量子逻辑门以及目前实现量子计算机的几种实验方法。介绍国内外研究动态,认为量子计算机在国内外还处于理论和实验研究的初级阶段,处在两、三位计算的实验水平,真正意义的量子计算机只有在硅器件走到极限后,进入量子时代才能实现。     

超导计算机

本文简要说明了超导效应和约瑟夫森超导结的基本原理,回顾了超导计算机研究的情况,介绍了快单磁量子逻辑电路的工作原理,优缺点,电路的基本单元和电路系列,以及对用ＲＳＦＱ电路系列构成的微处理器的性能估计。最后介绍了美国１９９７年度混合技术多线程计算机（ＨＴＭＴ）项目研究中采用ＲＳＦＱ技术的情况。     

显示Ⅲ—Ⅴ族化合物界面的通用的染色—腐蚀剂

描述了采用A-B位错腐蚀剂来显示Ⅲ-Ⅴ族化合物的界面。腐蚀剂使用简便,并且已用于目前所试验过的所有Ⅲ-Ⅴ族化合物。