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1.
前 言 近几年来,随机存储技术的进展有了很大的变化。特别是半导体存储技术的迅速发展对整个计算机工业产生了重大的影响,这是因为半导体存储器已进入了标准化的阶段,并已被一些主要的计算机公司用作主存储器。半导体存储器在性能方面显示出许多优点,这些优点是磁芯所不能相比的。尽管如此,磁芯仍然是主要的存储技术,而且凭借其历史悠久的技术基础和物质基础继续进行改革,并利用其低价的特点与半导体存储器相对抗。  相似文献   
2.
本文介绍由Bose提出的一类能纠单错(随机)检测多重单向错的SEC-MUED系统码。给出了编/译码算法及校验位数的下界。  相似文献   
3.
高密度及高性能存储器芯片的设计经常会产生一些新的可靠性问题;例如,高密度RAM和CCD芯片的α粒子问题便是一个很好的例子,α粒子引起的软错误会与已经存在的硬错误联结在一起,产生双位错,而此双位错是不能利用常规的单错纠正双错检测码来纠错的。本文绘出一个完整的系统方法,这种基于纠错码和系统维护策略的方法将减少系统级的主存失效率,其效果就如同α粒子问题未产生过一样。这种系统解决方法的设计可与大多数现存的存储器设计相兼容,因而使得实现这种方法所需附加的成本将是最小的。本文中描述的方法是利用单错纠正双错检测码的能力来检测出一个硬的和一个软的错误;然后使用一个微码和硬件算法纠正这软硬两个错误。本文也包括了这种方法的分析和模拟结果以及与其他技术比较结果。  相似文献   
4.
简讯     
据报导在美国弗城举行的1975年国际固体电路会议上,英特尔公司发表了一个称为2106的n沟MOS 4K RAM(随机存储器)。这种4K RAM取数时间为80毫微秒,周期时间为150毫微秒,速度为目前市场上最快的4K RAM的三倍。存储单元采用与AMS 7001 1K RAM相类似的电荷泵浦式电路结构,如图1所示。  相似文献   
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