基于DSP的全方位移动平台无线遥控系统

以全方位移动平台为研究对象,针对移动平台的全向运动控制,基于TI公司的TMS320F2812和无线数传模块设计了无线遥控系统;该系统将数据采集程序、通信协议和纠错编码算法集成在高速DSP系统上,具有信道选择灵活、接口标准、易维护的优点;并且对遥控通信系统的硬件和软件进行了设计,构建了适合于移动平台的可靠通信协议;最后进行了传输距离和响应时间试验,试验结果是无线遥控系统的稳定传输距离可达100m,发射端和接收端的响应时间分别小于20ms和80ms,数据传输错误率低于0.003%且可完成数据的及时更新;试验结果表明该系统的响应时间短,数据传输稳定,可以完成对移动平台的实时全向运动姿态的操控。     

基于LMD的PWM整流电路故障特征提取新方法

脉冲宽度调制(PWM)整流电路结构日益复杂,对其可靠运行提出了更高的要求;对局域均值分解(LMD)用于PWM整流电路的故障特征提取进行研究,提出一种基于LMD和加权频带能量法的特征提取新方法;该方法通过逐步抽取调频调幅成分将故障信号在频域上展开,然后基于信号能量的频带分布特点,充分考虑各频带成分与故障的相关性,构造故障特征向量,实现特征提取;最后以PWM整流电路为例进行仿真,相电压380V,仿真时间0.5s,0.1s时注入故障;结果表明,该方法能有效地提取故障信号的特征,并降低特征向量的维数。     

蓄能电站爬坡效益定量评估方法

蓄能电站在应付负荷急剧爬升阶段所体现出的经济性和可靠性效益称为爬坡效 益。本文首次提出了定量评估该项效益的一种解析模型和相应的算法，文中详 细阐述了该模型的内容和程序实现问题，并给出了一个实例分析。结果证明该 模型是合理的。 该模型和算法亦可用于常规水电站的爬坡效益评估。     

WDM系统中色散的实时监测

简单地推导了相位调制下的单音频率在传输光纤中其功率与光纤色散、光纤距离之间的关系，并介绍了在DWDM系统中可以利用相位调制法进行实时监测色散。此方法对于40GHz系统的色散实时监测提供了很好的参考方法。仿真结果表明，在未考虑光纤非线性效应的情况下有很高的精确性，当考虑非线性效应时，其传输距离会由于传输速率的影响而受到限制。     

单节锂电池保护芯片

探讨了一种具有实用价值的锂离子电池保护芯片。在给出体系结构后,介绍了芯片内部模块的设计,包括电压比较电路、延时电路和电池状态监控电路。为了提高比较电压的精度,引入了电阻修调技术。在提出电容充放电延时结构的基础上,还采用增加电流源的方式来延长电路的延时时间。在电池状态监控电路中,提出了一种实现负值电压比较的电路结构。采用Cadence对电路进行仿真,获得了与原理分析相一致的结果。     

大面积水稻节水灌溉技术的研究

以玉林地区近４０年来大面积多种水稻节水技术开发的实践为基础，提出要解决的２个问题，导出４个理论公式和３组５个量化实用公式，以及长期稳定此技术的３个措施。     

交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响

介绍了交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响,重点分析了亚微米CMOS集成电路中交流应力下的热载流子效应、电迁移、栅氧化层介质击穿效应。通过与直流应力下器件可靠性的对比,分析交流信号与直流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性影响的差异。     

基于Delta RCS的RFID标签天线方向图测量方法

RFID标签天线方向图是RFID标签的一项重要性能指标。由于标签没有标准的接口进行馈电,很难采用传统的天线测量方法测量标签天线方向图。基于RFID标签的双站散射原理和雷达截面差值(ΔRCS)概念,提出了一种新的测试方法,可以对封装好的商业标签进行天线方向图测量。通过对一种商用超高频标签进行实测与仿真,证明两者的结果具有很好的一致性。     

Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes

Studies on first GaN-based blue-violet laser diodes(LDs) in China mainland are reported.High quality GaN materials as well as GaN-based quantum wells laser structures are grown by metal-organic chemical vapor deposition method.The X-ray double-crystal diffraction rocking curve measurements show the fullwidth half maximum of 180″ and 185″ for (0002) symmetric reflection and (10-12) skew reflection,respectively.A room temperature mobility of 850cm2/(V·s) is obtained for a 3μm thick GaN film.Gain guided and ridge geometry waveguide laser diodes are fabricated with cleaved facet mirrors at room temperature under pulse current injection.The lasing wavelength is 405.9nm.A threshold current density of 5kA/cm2 and an output light power over 100mW are obtained for ridge geometry waveguide laser diodes.