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1.
试验研究了三种半导体致冷电对金属化系统的拉伸强度,其中铋-镍-锡金属化系统与半导体致冷材料粘接强度最高,超过原始棒状材料的拉伸强度,它是半导体致冷器电对的最好的金属化系统。 相似文献
2.
本文分析了电子元器件粗检漏气泡法的物理过程。分析结果表明,气泡法的灵敏度与试验条件、试验液体的性质、漏孔结构等有关。根据分析的结果,利用各种方法,不同试验液体,测定了一批器件的漏率。测试结果表明,各种方法,不同试验液体实际达到的灵敏度与理论结果是一致的。 相似文献
3.
本文给出了通过测试器件热阻来描绘其安全工作区的方法,采用该方法确定的安全工作区的二次击穿限比用二次击穿测试仪测得的要低,但能避免器件的损伤和永久性损坏,确定出的安全工作区是安全的. 相似文献
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本文介绍一种新型的各射线探测器的制造过程及其特性% 采用背吸杂技术有效地
降低了器件的反向漏电流并提高了成品率, 提出并应用真空镀铜工艺制作& 型啼化镐的
低阻接触, 取得了良好的效果%
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为了实现二硝基重氮酚生产过程自动化、完全人机隔离,解决该起爆药在民爆行业少(无)人化安全生产,我公司充分利用现有起爆药装备基础,突破生产装备自动化、智能化和信息化技术瓶颈,开发研制了二硝基重氮酚自动化生产线。结果表明:该自动化生产线各子系统运行良好,各生产工序实现了人机隔离要求,产品产量、质量达到要求。研制的二硝基重氮酚自动化生产线达到生产要求。 相似文献
6.
试验研究了采用两步扩散发射区结构的功率晶体管,两步扩散发射区结构在提高芯片上温度分布均匀性和器件抗二次击穿能力方面具有较好的作用.两步扩散发射区器件管芯上的温度分布较一步扩散发射区更为均匀,二次击穿耐量可提高80%以上. 相似文献
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本文介绍一种新型的β—射线探测器的制造过程及其特性.采用背吸杂技术有效地降低了器件的反向漏电流并提高了成品率,提出并应用真空镀铜工艺制作P型碲化镉的低阻接触,取得了良好的效果,该探测器由一个PN结二极管构成.在20℃,2V的电压下其反向漏电流小于3.5X10~(-12)A/mm~2,在60℃,2V的电压下其反向漏电流小于3.5×10~(-11)A/mm~(2),因而探测器可在60℃下正常工作.在标准~(85)Krβ—射线源上获得了1.65×10~(-9)A的输出电流,其截止频率大于2300Hz 相似文献
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INTRODUCTION0~nocSetheconductorcoolershavebeeninproductionforfourdecades.Withtheprogressofscienceandtechnology,theaPPlicationofsemiconductorcoolershasbeengraduallyi.c..i.g[']becauseoftheiradvantagesofsmallsize,lightweight,nomechanicalvibration,nowearandnonoise,noeffectofgravityandnopollution;fultllermore,adjustablecoolingrateandeasytemperatureandheattransfercontrolbynotonlycoolingbutalsoheating.SincethefirstinternationalThermoelectricityConferencein1976,15meetingshavebeenheld,andnewresea… 相似文献