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为了满足温度传感器芯片对带隙基准源高性能的要求,设计了一种高精度低温度系数带隙基准源。该带隙基准源利用电阻比值校正了一阶温度系数带隙基准电路的非线性温度特性,使得输出的基准电压的精度和温度系数有了很大提高。采用0.8μm BiCMOS（Bipolar-CMOS）工艺进行流片,带隙基准电路所占面积大小为0.04mm???2。测试结果表明：在5V电源电压下,在温度-40~125℃范围内,基准电压的温度系数为1.2×10-5/℃,基准电流的温度系数为3.77×10-4/℃;电源电压在4.0~7.0V之间变化时,基准电压的变化量为0.4 mV,电源调整率为0.13mV/V;基准电流的变化量为变化量约为0.02μA ,电源调整率为6.7nA /V。 相似文献
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封装电感引起的SSN(Simultaneous Switching Noise,同步开关噪音)效应阻碍低成本QFP(Quad Flat Package,四方型扁平式封装)封装的机顶盒芯片的DDR SDRAM(Double Data Rate Static Random Access Memory,双速率静态随机访问存储器,DDR)接口的传输频率.本文利用视频数据的相关性,及DDR颗粒的数据比特可以任意交换的特点,提出对DDR接口数据进行数据比特重排的方法来降低SSN效应.视频解码器使用到的数据在二维空间上高度相关.在DDR接口版图设计时将高比特位的数据与低比特位的数据在空间上交错放置,可使得DDR接口的电流分布更加平衡,减少通过封装寄生电感的平均电流,最终减少SSN.本文提出的方法成功用于台积电55rm工艺高清机顶盒芯片的设计.QFP封装的样片的DDR接口传输速率达到1066Mbps. 相似文献
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