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High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用high-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(DirectTunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-II中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性。改进后的PISCES-II程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 相似文献
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本文从客户/服务器系统性能调整的角度出发,介绍了PowerBuilder与ORACLE数据库之间的连接与通信方式,给出了数据库环境文件设置、事物对象及自定义事物对象等数据库连接方式,讨论了Cursor的使用、ORACLE存储过程调用等数据通信技术,并指出了与此相关的在实际安装PowerBuilder和ORACLE时应注意的有关问题。 相似文献
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面向订单的硅材料生产计划自动生成系统 总被引:2,自引:0,他引:2
本文介绍一个面向订单的生声计划自动生成系统。作为我国自主开发的第一套半导体材料计算机辅助制造(SM-CAM)系统的核心模块,该系统台理地解决了硅材料生产的订单管理、生产资源的综合分析和生产能力平衡的计算,并能自动生成生产计划。该系统已成功地投入运行。 相似文献
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针对集成电路封装工艺生产的实际需要,设计和实现了一个基于客户机/服务器模式的集成电路封装工艺生产管理系统.该系统可以采集大量的生产数据信息,并自动完成统计分析,生成各种实时的报表;特别是增加了用户自定义报表编缉功能,使得管理者和工程师能够快速地生成自己所需形式的报表,统计分析生产流水数据,提高生产的工艺管理水平.目前,系统性能已经过测试优化并投入试运行. 相似文献
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在"通用设计模块(IP核)管理系统的研制与开发"这一课题中,IP数据的价值与特殊敏感性要求确保IP数据在网络交易传输中的安全性,包括保护IP数据提供者的知识产权以及保证IP用户能够得到可靠、准确的IP数据.因此,网络数据安全机制的设计及实现成为本课题的重点.介绍了采用对称密钥加密算法AES(Advanced Encryption Standard)与非对称密钥加密算法ECC(Elliptic Curve Cryptography)相结合的双加密机制的设计,通过将JSP页面嵌套在J2EE构架中实现了IP数据在网络中的安全传送.整个"通用设计模块(IP核)管理系统"已通过课题验收,并投入了试运行. 相似文献
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High-k材料是指介电常数k高于SiO2的材料。使用Hihg-k材料做栅绝缘层,是减小MOS器件栅绝缘层直接隧道击穿(Direct Tunneling,DT)电流的有效方法。文章在二维器件模拟软件PISCES-Ⅱ中添加了模拟以high-k材料为栅绝缘层的MOS器件模型,并对SiO2和high-k材料的MOS晶体管器件特性进行了模拟比较,成功地验证了所加high-k材料MOS器件模型的正确性,改进后的PISCES-Ⅱ程序,可以方便地对以各种high-k材料为栅绝缘层的器件性能进行模拟。 相似文献
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采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0.23时,模拟结果的峰谷电流比为1.14,与实验结果相吻合. 相似文献
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采用量子水动力学(QHD)模型模拟了35nm Si/Si1-xGex空穴型共振隧穿二极管(RTD)在室温下的I-V特性.模拟过程中,引入second upwind,Schafetter-Gummel(SG)和二阶中心差分法相结合的离散方法对方程组进行离散,保证了结果的收敛性.还模拟了不同的器件结构,对结果的分析表明器件的势垒厚度和载流子有效质量都会对RTD的负阻效应产生影响.在室温下(T=293K),当x=0.23时,模拟结果的峰谷电流比为1.14,与实验结果相吻合. 相似文献