GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅱ.实验

研究了(100)GaAs衬底上,离子注入自对准 WSi_x栅 GaAs MESFET的阈值电压漂移与栅长和取向的关系。当栅长小于2μm时,栅不同取向的阈值电压差别很大.本文同样将解析模型与已有的(111)GaAs衬底的实验进行了比较.结果表明解析模型与实验符合较好.     

硅的CF_4增强等离子体氧化与氮化研究

本文描述了含CF_4的等离子体低温300～600℃氧化与氮化工艺。对CF_4含量与膜厚的关系作了探索。当CF_4含量较少(CF_4/O_2<1/400)时,有利于氧化反应,且在这个区域中,在相同条件下膜厚与CF_4含量成正比。当CF_4含量较大时,反应转为等离子体刻蚀占优势,随着CF_4含量增大,膜不断减薄。研究了增速区域的200～500(?)氧化膜生长工艺,C—V测试表明,膜质优于不含CF_4的等离子体生长的膜。经AES分析,膜中不存在C,F峰。等离子体氮化亦因加入少许CF_4而更易进行。并探讨了膜的生长机理。     

等离子体二氧化硅的制备及特性

<正> 一、 引言 低温能避免高温引起的杂质再分布,杂质表面耗尽,“鸟嘴”结构形成,以及硅片翘曲和热诱生缺陷等,保证高密度IC的实现。硅的低温氧化,是VLSI制作中尚未解决的重要课题,因此引起了人们很大关注。本工作采用低温等离子体技术,研究了900℃以下硅的等离子体氧化,探讨了膜的生长机理和规律,膜的性质与工艺条件的关系。     

∑△D／A转换原理及应用

本文从信号处理理论的角度，讨论了∑△Ｄ／Ａ转换技术，并介绍了二个应用实例。     

自分光式色敏器件理论设计

本文首先从色度学角度提出对色敏器件的要求,接着指出现有色敏器件内不适合测物体色的原因,最后提出一种自分光式色敏器件的理论。该器件采用不同厚度的硅片做滤光片,再利用两只性能相近的色敏管输出的差值作信号,这样就可获得区域响应的输出,该输出具有分光性质。该器件的最大优点是可以用程控放大器或微机修正,从而获得精确的物体色的有关参数,而无需附加分光系统。     

场助GaAs—玻璃键合工艺的研究

本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电极和双平行板电极对键合界面的影响,从SEM断面的图象看出,用单点接触电极得到的键合界面较好.直拉法的结果表明,键合强度大于GaAs体单晶的强度.     

等离子体氢处理对Si—SiO2结构的影响

本文研究了等离子体氢处理对Si-SiO_2结构的影响。结果表明,Si-SiO_2结构经等离子体氢处理后,其界面特性变差。     

GaAs MESFET栅的取向效应——Ⅰ.解析模型

本文根据压电效应模型,详细研究了(100),(011)和(111)衬底上 GaAs MESFET栅的取向特性.通过合适的正交变换,求出了压电电荷密度.考虑到沟道-衬底界面的耗尽层,得到了阈值电压随栅取向变化的解析表达式.结果与两维数值分析基本一致.     

由MOS电容瞬态技术确定表面层内少子产生寿命的纵向分布

本文分析了现有确定表面层内少子产生寿命分布方法的缺点.根据MOS电容对阶跃电压和线性扫描电压瞬态响应物理过程,导出了两个关于少子寿命纵向分布的表达式.由此提出了两种确定少于产生寿命纵向分布的新方法.对一些样品进行了测量和计算.结果表明,与瞬态电流-电容法(I-C法)相比,瞬态电容法(C-t法)测试简单、精度较高;而饱和电容法(C_(St)法)计算方便.它们均可用来确定硅中少子体产生寿命在表面层内的纵向分布.     

场助GaAs-玻璃键合工艺的研究

本文较详细地研究了场助GaAs-玻璃键合工艺,在键合前将GaAs和玻璃用H_2等离子体处理.AES结果表明,CaAs表面的本征氧化层被还原,从而使GaAs-玻璃容易键合上,比较了单点接触电极和双平行板电极对键合界面的影响,从SEM断面的图象看出,用单点接触电极得到的键合界面较好.直拉法的结果表明,键合强度大于GaAs体单晶的强度.