考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析

重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生能带变窄效应(BGN)。对于因重掺杂NPN突变A1GaAs／GaAs HBT,而引起BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果,以致对电流输出特性产生重要的影响。本文基于Jain—Roulston禁带收缩模型及热场发射——扩散载流子输运机制,对考虑自热效应下的重掺杂AlGaAs／GaAs HBT电流特性进行了深入的研究。通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出：为了更好描述电流传输,利用Jain—Roulston的BGN模型,考虑导带、价带突变量的改变依赖于实际掺杂浓度值是必要的。     

具有AIGaAs缓变结构的InGaP／GaAs HBT性能改进分析

对改进型结构具有零导带势垒尖峰的缓变InGaP／AlGaAs／GaAsHBT器件的直流和高频特性进行了理论探讨,并同传统突变结构的InGaP／GaAsHBT的相应性能作了比较。结果表明：在低于30nm的一定范围内的缓变层厚度下,与突变的InGaP／GaAsHBT相比,改进型结构的InGaP／AlGaAs／GaAsHBT具有更低的offset和开启电压、更强的电流驱动能力、更好的伏一安输出特性和高频特性。     

突变 HBT准费密能级分裂与复合电流

要精确描述HBT的复合电流,必须考虑异质结界面处的准费密能级分裂。而重掺杂改变了分裂量的大小．从而使复合电流发生与之相对应的变化。本文利用更准确的考虑了重掺杂效应影响的准费密能级分裂模型,计算了各种复合电流。通过比较得出准费密能级分裂对复合电流的重要性。     

"电磁场与电磁波"中"▽"算符的讲授体会

"电磁场与电磁波"的课程内容安排和传统讲授方法是在讲授标量场的梯度、矢量场的散度和旋度的时候引入"▽"符号,并结合具体坐标系展开推导证明一些重要的矢量恒等式.本文提出新的讲授方法是在最开始讲解矢量代数的时候便直接引入"▽"符号,并且采用与普通矢量的类比且脱离具体的坐标系统讲解概念和推导证明一些重要的矢量恒等式,教学实践...     

发射区底切对倒置结构InP/GaAsSb/InP DHBT性能的影响

基于考虑载流子弹道输运等非局域传输瞬态效应的流体动力学模型,数值模拟计算了集电区在上面发射区在下面的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)器件的直流输出特性和高频性能.计算结果表明:由于集电区台面面积小,集电区在上的倒置InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管有较高的高频性能;对于发射区在下面与基区接触面积大导致较多的基区载流子复合而使器件的增益偏低问题,可以考虑掩埋侧边腐蚀工艺底切发射区的技术来减少发射区和基区的接触面积,从而减少复合改善器件的增益特性.     

基区重掺杂对突变AlGaAs/GaAs HBT电学性能的影响

基区重掺杂不仅使基区能带发生变窄效应(BGN),且使突变结界面势垒形状及高度均发生了扰动,这两种因素都对电流输运特性产生重要的影响.基于热场发射-扩散模型,分析了基区重掺杂突变AlGaAs/GaAs HBT中的电流传输特性.结果表明:为了精确描述电流传输,必须考虑突变结界面势垒形状及高度扰动所引起的电流变化.     

重掺杂能带结构的变化对突变HBT电流影响

基于禁带变窄量在导带和价带之间的分布比例与掺杂浓度相关的Jain-Roulston模型,研究了重掺杂能带结构的变化对突变异质结HBT电流影响.研究表明:禁带变窄量在导、价带间分布模型选用的不同,计算结果之间有明显的差别,基于Jain-Roulston分布模型的结果同实验测量符合很好.因此对于突变HBT性能分析,必须精确考虑重掺杂禁带变窄量在能带上的具体分布.