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唐元洪 《固体电子学研究与进展》1997,17(4):329-332
提出了用空间电荷限制电流(SCLC)法测量非晶硅材料的有效隙态密度的新方法,并且报告了用4061A型半导体综合测试仪测量有效隙态密度的结果。测量结果发现与用低频电容法所得结果相符。 相似文献
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通过热力学计算研究自蔓延高温合成技术合成La0.7Sr0.3MnO3反应机制。结果表明:对于Mn,La2O3,SrCO3,NaClO4组成的自蔓延高温合成La0.7Sr0.3Mn0.3反应体系,理论上Mn粉优先与La2O3反应生成LaMnO3,低温下Mn粉优先与O2反应生成少量MnOx,大部分剩余的Mn粉高温(〉1417K)下优先与O2反应生成SrMnO3;同时,少量低温(〈1417K)时形成的MnOx与SrCO3反应生成SrMnO3。高温下,SrMnO3与LaMnO3反应生成La0.7Sr0.3MnO3,这是SHS法合成La0.7Sr0.3MnO3的主要途径。另外,当温度大于1235K时,少量La2O3与SrCO3反应生成La2SrOx,La2SrOx再与LaMnO3反应生成La0.7Sr0.3Mn0.3。 相似文献
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硅纳米管的制备及应用前景 总被引:2,自引:0,他引:2
自组生长的硅纳米管是在一定条件下由一个个原子自己搭建生成、内部排列有序的一种新型的一维纳米材料,它完全可以体现硅纳米管的真实特性,同时具备碳纳米材料和硅纳米线材料的性能,在传感器、晶体管、光电器等纳米器件及场发射显示屏等方面具有广泛的应用前景。作者采用全新的水热溶液生长法合成硅纳米管。这种硅纳米管是国际上第一次合成自组生成的硅纳米管,为将来制造纳米电子器件提供了继碳纳米管、硅纳米线后的又一种全新的纳米材料。 相似文献
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研究了热处理温度、时间对自蔓延高温合成La0.7Sr0.3MnO3物相、形貌、晶粒度、抗弯强度、电导率的影响,结果表明,热处理可以有效消除自蔓延高温合成产物中的杂质相,且随着热处理温度的升高,产物中杂质相呈现减少的趋势,La0.7Sr0.3MnO3,粉末晶粒尺寸逐渐增大,但较高的热处理温度会使粉末烧结现象加重.热处理有助于提高SHS合成La0.7Sr0.3MnO3的导电性,当工作温度为800℃时,未经过热处理试样的电导率为42.5S·cm^-1,而经过800℃热处理试样的电导率达到48.3 S·cm^-1. 相似文献
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掺杂硅纳米线的研究进展 总被引:5,自引:0,他引:5
掺杂是制备硅纳米线半导体器件的一个有效手段。介绍了掺杂硅纳米线的最新进展,主要就掺杂种类,包括硼、磷及锂掺杂硅纳米线,性能测量,包括光致发光特性、电子输运特性、场发射特性及其近端X射线吸收精细结构光谱等及在单电子探测器与计数器、存储元件、纳米线传感器等最新应用研究进展进行了较详细的讨论,最后对掺杂硅纳米线的发展前景作了展望。 相似文献
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