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ＮＥＣ在世界上首次开发了在多引脚、窄间距半导体器件的Ｉ/Ｏ端上与外部电路连接布线技术— 4 0 μｍ的超窄间距键合。近来 ,随着电子器件高性能、高集成化发展 ,为连接增多的芯片Ｉ/Ｏ端与外部电路窄焊点 (Ｐａｄ)间距的键合技术要求甚高。ＮＥＣ早期就采用ＴＡＢ技术开发了适于窄间距的互连技术。而本次采用无凸点ＩＬＢ (内引线键合 )方式 ,实现了间距为 4 0 μｍ的超高密度互连。无凸点ＩＬＢ法与芯片上形成凸点的金属凸点的通常ＴＡＢ技术不同 ,由于它是在半导体的Ｉ/Ｏ端—铝基座上直接键合引线 ,所以 ,其特点是低成本、窄间距。迄今… 相似文献
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ＩＢＭ公司采用独自的ＳＯＴ (ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎＳｕｌａｔｅｒ)技术 ,试制了运算速度最大可提高 35 %的微芯片 ,而同时开发了将运算速度相同设定时 ,与现在的微芯片相比 ,功耗约为 1 3的ＳＯＩ芯片。目前的半导体芯片是在硅片上直接构成晶体管 ,各晶体管在管内存积充分的电气后 ,将电气传送给下一个晶体管。这时 ,与晶体管相连的硅层就滞留部分电气。此电气滞留所需要的时间就成了阻碍半导体芯片运算速度提高的因素 ,而滞留的电气能量又导致半导体芯片的功耗上升。ＩＢＭ公司独自具有的ＳＯＩ工艺技术是采用ＳｉＯ2 隔离晶体管和硅层… 相似文献
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NEC开发超微细三维立体结构毫微米新技术 总被引：1，自引：0，他引：1
最近 ,NEC在世界上首次开发迄今尚未达到的10 0nm以下的三维立体结构新技术。在制作超微细立体结构的技术研究开发中 ,在构成体 (硅片 )加工尺寸变小的同时 ,从二维加工向三维加工过渡的技术也在向前发展。此制作技术期待在各领域应用 ,并也在探索开拓新领域。而现在此微小立体构造的制作方法中 ,已达实用化的是 :采用激光的光造形法和采用硅半导体工艺的制法。但前者的缺点是 :达不到nm级精度 ;而后者制作工艺又太繁杂。本次新开发的制作方法是 :靠计算机控制的电磁场形成的偏转按nm级精度立体扫描原料气体而实现聚焦至 10nm程度的镓聚焦… 相似文献
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在数字化信息化高速发展的今天,基于良好用户体验解决最终用户快速便捷使用无线网络的需求与无线网络接入安全之间的矛盾,是一个重要的研究课题。本文以集团型企业为背景,分析了国有大中型制造企业在无线网络方面的现状及需求,寻找并制定适合集团型企业各场景的无线网络安全接入方案,对无线网络接入场景进行了详细设计,对不同接入途径的安全验证方式进行研究。同时根据不同的场景和安全级别,整合无线平台、验证平台、上网审计平台、有线网络、监控平台等,达到整体无线方案的优化,验证无线网络安全接入对于企业用户使用集团应用黏性增加的促进作用。 相似文献
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在制作半导体器件时采用的等离子体工序中带电时 ,由于电子屏蔽效应而栅氧化膜受到损伤。ＮＥＣ开发了可有效分析其损伤程度的新方法。采用等离子体的腐蚀技术其加工精度上乘 ,但另一方面是由于带电而栅氧化膜受到损伤 ,元件成品率下降、可靠性劣化。而随着ＬＳＩ元件尺寸减小 ,此现象更加严重。但迄今尚无有效分析此现象方法。在此新分析方法中 ,为了预测布线腐蚀时的损伤程度 ,特将阈值电压特性作为指标。而且通过比较布线间隔不同的诸多元件 ,明晰了伴随布线尺寸而等离子体损伤如何变化。结果 ,观察到了如下现象 :当随着元件尺寸减小、栅… 相似文献
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Q2.2S压缩机的热力学分析与计算 总被引：2，自引：1，他引：1
对压缩机进行热力学分析计算是压缩机设计中的重要内容,结合自行研制的Ｑ２．２Ｓ空调用全封闭活塞式制冷压缩机进行了热力学分析与计算,同时介绍了分析计算的依据、方法、有关计算公式及计算结果等,并与实际检测结果进行了比较。 相似文献
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介绍了新型焊接材料和ＴＩＧ堆焊的工艺性能特点，与传统手工电弧堆焊和氧乙炔焰堆焊比较，该工艺可使堆焊层的材质和机械性能达到原设计要求，成功地解决了铜合金模具堆焊的技术难题，获得了良好的效益。 相似文献
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文部省宇宙科学研究所内之浦宇宙空间观测所1991年8月30日用M-3S-Ⅱ火箭发射了第14号科学观测卫星SOLAR-A(发射后命名为“日光”号)。它是当前日本唯一一颗在轨执行观测太阳峰年活动任务的太阳观测卫星,它利用星上搭载的观测仪器将完成各种高精度的观测任务,因此必须进行高精度的姿态控制,为此星上配置了姿态测量用敏感器,其中之一星跟踪器可持续地跟踪恒星,在摄取到已知的星图后进行识别处理,对星图上的已知星跟踪定向,然后利用陀螺仪等星载仪器校正卫星姿态。根据初始运用情况和以后的在轨数据分析,可确认该星跟踪器已满足所希望达到的姿态检测精度和星等精度。本文记述了“日光”号搭载的星跟踪器的在轨性能。 相似文献