基于立体视觉的立体拍摄参数自动获取方法

现有的3D摄像机在立体拍摄过程中参数调整困难,难以保证左右2台摄像机动作的协调性和一致性。针对该问题,提出一种基于立体视觉的立体拍摄参数自动获取方法。由4台全方位视觉传感器构成的全景3D摄像机获取全景立体图像,通过立体图像处理技术自动获取立体拍摄所需要的汇聚点位置、拍摄距离、焦距以及光圈系数等参数。实验结果表明,该方法能有效保证焦距、拍摄方向、拍摄角度和3D深度等3D拍摄参数的一致性,解决3D拍摄过程中2台摄像机在拍摄动作以及立体景深参数调整等协调难的问题,在拍摄3D全景视频图像的同时进行3D特写视频图像的拍摄,实现在显示器上全景点控的自动3D特写视频图像拍摄。     

p-i-n InP/InGaAs光电探测器的电流及电容特性研究

为了实现高灵敏度探测,红外探测器需要得到优化。利用Silvaco器件仿真工具研究了p--i--n型InP/In0.53Ga0.47As/In0.53Ga0.47As光电探测器的结构,并模拟了该结构中吸收层浓度和台阶宽度对暗电流以及结电容的影响。结果表明,随着吸收层掺杂浓度的逐渐增大,器件的暗电流逐渐减小,结电容逐渐增大。当台阶宽度变窄时,器件的暗电流随之减小,结电容也随之变小。最后研究了光强和频率对器件结电容的影响。在低光强下,器件的结电容基本不变;当光强增大到1 W/cm2时,器件的结电容迅速增大。器件的结电容随频率的升高而减小,其峰值由缺陷能级引起。     

p-i-n InP/InGaAs光电探测器电流及电容特性研究

为了实现高灵敏度探测,红外探测器需要得到优化。利用Silvaco器件仿真工具研究了p-i-n型InP/In_0.53Ga_0.47As/In_0.53Ga_0.47As光电探测器结构,模拟了结构中吸收层浓度和台阶宽度对暗电流及结电容的影响。结果表明,随着吸收层掺杂浓度的逐渐增大,器件暗电流逐渐减小,结电容逐渐增大;当台阶宽度变窄时,器件暗电流随之减小,结电容也随之变小。最后研究了光强和频率对器件结电容的影响：在低光强下,器件结电容基本不变;当光强增大到1 W/cm²时,器件结电容迅速增大;器件结电容随频率的升高而减小,其峰值由缺陷能级引起。     

表面微结构的高响应度Si基近红外光电探测器

为了使Si基光电探测器应用到近红外光波段,需要提升其对光的响应度。通过等离子体光刻在硅基光电探测器表面制备规则有序的微结构阵列,另外通过原子层沉积(ALD)在微结构表面生长一层Al_2O_3膜,研究它的抗反射和钝化作用。对比测量器件的表面反射率和I-V特性曲线,并计算器件在808 nm近红外光下的光响应度。通过计算发现器件的响应度由最初的0.063 A/W提高到0.83 A/W。     

基于单目多视角视觉的珍珠光洁度识别研究

利用摄像机前面放置多枚平面镜构成的对称斗型腔体构成以物为中心的单目多视角摄像装置,在摄像机投影平面上直接获取从5个不同视角拍摄的珍珠表面图像;然后对5个不同视角的珍珠表面图像进行图像处理,提取出珍珠表面的纹理、颜色和几何形状等特征参数;最后用图像特征融合的方式最终判定珍珠的光洁度品质.实验结果表明,文中设计的基于单目多视角机器视觉装置能保证在一个统一的颜色系统中一次获得珍珠整个球体表面的图像,利用文中开发的珍珠检测系统实时完成珍珠的瑕疵等品质指标的视觉检测.