高精度分段线性补偿基准电压源

介绍了一种新型电压基准电路,基于分段线性补偿方式设计了一种高精度基准电压源.利用与温度成正比的电流(IPTAT)和与温度成反比的电流(ICTAT)做差,从而获得用于基准电压源曲率补偿的分段线性电流.将电路整个工作温度区间分为两段,利用分段线性电流完成补偿,且增加三极管基极电流补偿技术,最终得到高精度的基准输出电压.仿真...     

一种无电阻高精度基准电压源

基于TSMC 0.18 μm BCD工艺,设计了一种无电阻高精度基准电压源。利用具有高阶温度系数的电流消除VBE温度系数中的非线性项,对输出基准电压实现高阶补偿。与传统无电阻基准电压源中MOS管工作于亚阈值区不同,电路中的MOS管均工作于强反型区,具有更高的仿真模型精度。仿真结果表明,当温度在-55 ℃~125 ℃范围变化时,该基准电压源的温度系数为8.5×10-7/℃。在无滤波电容的情况下,电源抑制比可达-80 dB。当电源电压在2.5~5 V范围变化时,线性调整率小于0.3 mV/V。     

基于CMOS阈值电压设计的电压基准源

基于TSMC 0.18μm标准CMOS工艺，提出了一种新型无电阻低温漂电压基准源。通过采用CMOS阈值电压（Vth）和与温度成正比的电压（VPTAT）作为基础线性温度单元加权求和的方式，消除了电压基准源输出中残留的非线性温度分量，最终得到高精度的电压基准输出。其中CMOS阈值电压由无电阻结构产生，VPTAT的产生和与CMOS阈值电压的加权求和由非对称差分运放完成。实测结果证明，在-55℃～125℃温度范围内，电压基准源输出为1.23 V，温度系数为4.5 ppm/℃。在无滤波电容的情况下，基准电源抑制比可达-93 dB。