钨柱对40Cr侵彻效应影响的研究

在实验的基础上,运用数值仿真方法研究了长径比约为1∶1钨柱的着靶姿态对40Cr钢板侵彻效应的影响。获得了入射角与极限穿透速度的关系,以及侵彻速度相同时,入射角与穿透靶板后剩余速度的关系。在此基础上研究了同种规格的钨柱侵彻不同厚度的均质装甲钢和40Cr钢板时极限穿透速度的关系,得到了两者速度比为1.13∶1的结论,为寻求低成本等效靶板提供了有效试验依据。这些研究成果对破片毁伤战斗部的设计具有实际指导意义。     

微机械加工中的RIE技术

简述了反应离子刻蚀(RIE)技术在微型传感器部件加工制造中的应用,报道了采用NF_3、SF_6等气体反应离子刻蚀Si的实验结果,研制出了φ300μm的微型Si齿轮。     

榴弹流场的数值分析

介绍了Fluent软件,论述了榴弹外流场数值模拟的现状,介绍了使用商业CFD软件进行数值模拟的整个过程,对榴弹飞行时外界气流流动形成的流场建立了模拟计算的数学模型,确定边界条件,进行了网格划分并且进行了后处理,获得了比较满意的结果。     

应用载荷识别技术的一种转子动平衡方法

在对载荷识别理论深入分析的基础上，提出了一种新的转子动平衡方法，同传统的平衡方法相比，该方法对任意类型的转子可以实现三次启动（包括测量原始振动、加试重组振动测量和平衡结果检验）完成动平衡。文中引入了全息谱技术，因而对信息的利用也优于传统方法。本文的重要意义在于减少了机组的起动次数，而又不降低平衡精度。     

SF_6／CCl_2F_2反应离子深刻蚀硅中加O_2的研究

用ＳＦ＿６／ＣＣｌ＿２Ｆ＿２加Ｏ＿２混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀机上，进行了深刻蚀硅的研究。当掩膜厚度约１２０ｎｍ－１５０ｎｍ的Ｃｒ薄膜时，研究了Ｏ＿２在混合气体中的比例对刻蚀形貌和刻蚀速率的影响。用获得的各向异性刻蚀工艺，己刻蚀出高度为１０μｍ的硅台阶，台阶倾角小于５°，横向腐蚀约为０．５μｍ，刻蚀表面粗糙度约１０％。     

浑沌与分形动力学在机械故障诊断中的应用初探

基于对浑沌与分形的特征参数－相关维数的深入研究,尝试将其应用于机械故障诊断领域。理论与实例分析结果表明,对用常规谱分析方法难以区分的故障,相关维数分析方法通过给出定量化指标实现了上述故障的确诊,显示这一技术在机械故障诊断领域有着广泛的应用前景。     

反应离子深刻蚀硅的研究

利用ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５，ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２，ＳＦ６／ＣＣＬ２Ｆ２／Ｏ２等氟氯族混合气体，在普通的平板型反应离子刻蚀系统上，进行了反应离子深刻蚀硅的研究。在Ｃｒ膜的掩护下，ＳＦ６／Ｃ２ＣｌＦ５刻蚀硅的速度，但刻蚀的方向性差；ＳＦ６／ＣＣ１２Ｆ２和ＳＦ６／ＣＣｌ２Ｆ２／Ｏ２都可获得各向异性的刻蚀工艺，刻蚀速率在２００－５００ｎｍ／ｍｉｎ之间。     

亚微米单元库电路性能参数自动提取技术

开发了一种新的单元库电路性能参数自动提取技术。给出了该技术提取流程结构框图，详细阐述了输入电容的自动提取、库单元的行为功能、电路模拟输入文件的产生及计算结果的处理。实际电路的实现证明了该技术的可行性和实用性     

等离子体和反应离子刻蚀硅的各向异性 及均匀性实验研究

在反应离子刻蚀(RIE)及等离子体刻蚀(PE)设备中,分别采用CF_4,SF_6,NF_3和C_7F_(14),腐蚀剂气体,对(100)Si进行刻蚀.研究了工艺条件对刻蚀各向异性及均匀性的影响.结果表明,RIE的各向异性与均匀性均优于PE.RIE的各向异性值A与刻蚀气体中的添加剂成份有关,添加20%Ar时A最大值为5.4;添加20%C_2F_5Cl时,A值可高达10以上.在RIE中,CF_4和NF_3,的刻蚀均匀性优于SF_6,最佳刻蚀均匀性平均值优于5%,添加剂对刻蚀均匀性没有明显的影响.而PE显示各向同性的刻蚀特征,均匀性约为16.5%.并对各向异性及均匀性的起因作了解释.