排序方式: 共有12条查询结果,搜索用时 0 毫秒
1.
2.
3.
为减少计算多状态网络可靠度精确值的复杂性,提出基于分解计算多状态网络不可靠度精确值的思想,在此基础上提出一个求解多状态网络不可靠度动态上界(对应于可靠度动态下界)的算法.算法先通过分解运算去除某些边引起的d-最小割集之间的相关性,将网络不可靠度转化为多个互斥事件的概率之和,再应用MESP界求取这些事件的概率,计算网络不可靠度上界,对应得到可靠度下界,并计算了得到的可靠度下界与精确值间的绝对误差界.通过定义d-最小割集矩阵,利用矩阵分解实现算法,结构清晰、便于编程计算.相关引理的证明及算例分析表明随着分解的深入,算法能够得到满足精度要求的可靠度下界. 相似文献
4.
5.
将Si引入冠醚有希望大幅度提升其对阳离子的络合能力,但其中的调控机理尚不清晰。基于量子化学密度泛函理论计算,以12-冠-4、1,1-2甲基-1-硅杂12-冠-4、1,1,2,2-4甲基-1,2-2硅杂12-冠-4、1,1,2,2,4,4,5,5-8甲基-1,2,4,5-4硅杂12-冠-4和1,1,2,2,7,7,8,8-8甲基-1,2,7,8-4硅杂12-冠-4络合Li+为计算模型,探究了冠醚与Li+之间的相互作用机理。结果表明,由于O—Li+配位键的键长增加,掺杂Si的数量为2和4的Si杂12-冠-4对Li+的共价相互作用略弱,但静电相互作用和色散相互作用更强、Pauli排斥作用更小,最终导致所有Si杂12-冠-4对Li+的络合能力都比12-冠-4更强。上述有利因素源于Si—O键中Si的电子显著向O极化,同时,Si杂12-冠-4中—SiMe2—SiMe2—和—CH2—SiMe2—单元远离Li+,有效避免了Si—Li+之间的静电排斥。揭示的冠醚-Li+相互作用机理将为未来设计与合成杂原子冠醚提供理论指导。 相似文献
6.
目的研究智能手机以不同方式跌落时屏幕的安全性,根据跌落时力的传递方式和主要应力集中部位设计简单有效的防护措施,节约包装成本。方法基于Solid Works和Ansys Workbench软件对无防护智能手机水平跌落、竖直跌落和倾斜45?跌落等3种极限情况进行仿真,根据结果设计防护措施,并进行仿真验证。结果在水平、竖直、倾斜45?等3种跌落工况下,手机屏幕均会发生应力集中,应力大小分别为80,800,120 MPa,屏幕出现破碎,在手机的4个角安装三脚形泡沫能够使冲击应力小于屏幕的强度极限。结论在手机屏幕材料的选择时,要选择强度高、弹性好的玻璃材料,对手机进行包装运输时,对4个角安装三角形泡沫防护垫可以有效地保护手机。 相似文献
7.
137Cs主要来源于核武器试验和核电站产生的放射性废物, 具有高溶解度和高迁移率的特点, 因此从放射性废液中有效去除 137Cs是一项长期的挑战。本研究通过溶剂热法合成了一种二维层状阴离子骨架材料SZ-6, 并对其吸附性能进行了系统的研究。利用单晶衍射仪、X射线衍射仪和扫描电子显微镜等对SZ-6的结构、形貌和稳定性进行了表征与测试。采用批实验研究了水溶液中Cs +的吸附行为。结果表明: 在浓度为10 mg/L的Cs +溶液中, SZ-6的吸附动力学可在5 min内达到平衡, 是目前去除Cs +最快的吸附剂材料之一; SZ-6在pH4~12范围内表现出良好的去除能力; 在过量Na +、K +、Ca 2+竞争阳离子存在的情况下仍具有较好的选择性。 相似文献
8.
为寻求计算多状态网络系统可靠度更为简明的方法,提出了一种d-最小割、路集转换算法。该算法在已知d-最小割(路)集的基础上,基于逻辑代数理论,通过展开和之积表达式获得d-最小路(割)集,再基于两者中数量较少的一个运用容斥原理,得到网络可靠度。同时,分别利用容量未取最大和不为0的边及对应取值组成的集合对表示d-最小割(路),基于集合之间的隶属关系及将集合运算中正常的先取逆再合并的运算顺序变为先合并再取逆的思想,提出相关引理,简化算法。通过复杂度分析,证明算法有效。算例证明了算法的有效性和适用性。 相似文献
9.
为了提供6,7 LiD与H2O之间潮解机制研究所需的解析势能函数,采用B3LYP/6-311G(2df,pd)方法对6 LiD、7 LiD分子进行了几何结构优化,并在相同理论水平上进行单点能扫描计算,通过用核运动效应修正Born-Oppenheimer(B-O)近似下的电子能量。利用Murrell-Sorbie势能函数,得到了体现同位素原子质量差异的同位素双原子分子势能函数,并计算得到了力常数和光谱数据,其值与实验数据基本一致。 相似文献
10.
碳化硼陶瓷以其独特的结构和性能广泛应用于诸多工业领域,其中作为一种耐磨或减磨材料,碳化硼陶瓷的摩擦学性能备受关注。总结了近年来国内外关于碳化硼陶瓷的摩擦学性能的研究报道,并从摩擦温度、负载、湿度、速度、磨程和配副材料等多种影响因素出发,讨论了碳化硼陶瓷的摩擦学特性。从实验结果可以看出,碳化硼陶瓷的摩擦学性能随实验条件的差异而出现较大范围的波动,摩擦因数在0.95~0.02之间。通过分析碳化硼陶瓷的摩擦与减磨机制,分析和讨论了碳化硼的摩擦学性能,并提出了改善其摩擦学性能的方法和建议。 相似文献