以对标国际促进电力企业高质量发展

随着“一带一路”建设的推进,我国电力企业紧抓机遇,以市场为导向,以项目为依托,积极开拓海外市场,开展跨国经营,在更大范围、更广领域、更高层次上参与国际电力市场的开发合作与竞争。然而,在全球市场上,我国电力企业的国际化经营水平却处于较低水平。在走向国际化同时,需结合自身实际,从管理、技术上有所创新,步步为营,吸收国外先进的技术与管理经验,注重企业文化的形成,而国际对标则是提高企业国际竞争力的重要途径,是企业迈向国际尖端水平的“快捷方式”。     

基于模型的测试用例生成方法

在大量软件出现的今天,除开软件的功能是否完善外,对软件本身提出了更高的安全性和稳定性要求;一款软件在上线前需要进行大量的测试,以便提升软件的质量;由于开发人员参与了软件的研发及上线流程,导致了看待软件问题的局限性,而测试人员在编写测试用例时,往往由于依据文档的不一致性,使得测试用例的价值大打折扣;并且在实际软件的开发流程中,测试环节与开发严重脱节;往往只是为了出相应的测试报告而去测试,偏离了测试的初衷;针对以上问题,提出基于模型的用例生成方法,能够基于工作流程图、判定表、状态转换等多种测试方法,并在该方法中应用边界值与等价类的思想,够贯穿整个软件研发的生命周期,在软件研发初期就能够参与测试,提出设计方案的不足;并且能够自动生成测试用例,提高测试人员的效率.     

专注品牌建设 一路跨步前行——专访深圳市夜狼安防高新技术有限公司董事长 万腾驰

近两年来,中国安防市场在经历全球金融危机后逐渐地回暖。据了解,2009年国内防盗报警行业的市场规模已经超过了40亿元,对于民族安防企业而言,增势中的市场容量,既意味着机遇,也隐含着挑战。就此,本刊特别专访了深圳市夜狼安防高新技术有限公司董事长万腾驰先生,以期通过万总十多年的从业经验来为我们解读中国防盗报警市场的发展动向。     

异方向导电膜用单分散聚苯乙烯微球的制备

论文研究了异方向导电膜用粒径为5．0μm的单分散(分散系数ε≤0．05)镀金聚合物微球的制备。通过对乳液聚合、悬浮聚合及分散聚合三种工艺的比较，确定了优化的分散聚合反应条件，成功制各出了粒径为5．0μm的单分散(分散系数ε＝0．02)聚苯乙烯微球。所制备的聚苯乙烯微球具有良好的球形度，且表面光滑，无破损、无缺陷，为下一步镀金工艺奠定了坚实的技术基础。     

OMRON中小型PLC在制冷压缩机试验装置控制系统中的应用

通过描述OMRON中小型PLC的配置和技术特点,提出了满足制冷压缩机试验装置控制需要的控制系统,介绍了控制软件的功能。对于制冷压缩机试验装置计算机监控系统的硬件和软件功能、协议也做了相关的讨论。     

反1,4-聚丁二烯结晶形态和结晶动力学

反－１,４－聚丁二烯（ＴＰＢＤ）结晶在偏光显微镜下叶针状结构。差示扫描量热仪测定ＴＰＢＤ有两个明显的熔融峰,熔点分别为７０℃和１３５℃,表明有两种结晶度分别为６４．４％和７１．２％。用膨胀计法分别测定了ＴＰＢＤ由熔嘈态向Ｃｏｎｄｉｓ吉晶及由Ｃｏｎｄｉｓ结晶向坚硬结晶转变动力学,得到了Ａｖｒａｍｉ指数ｎ和动力学常数ｋ值。     

刍议基于改造工程的施工安全管理策略

随着社会的进步,为建筑行业带来良好的发展机遇,除了要通过建设新的建筑来满足社会发展需求之外,也应该根据实际情况对原有建筑实施改造创新,这样既不会造成房产资源浪费,又可以创造新的经济效益.不过在实施改造工程的过程中,需要特别注意施工安全管理问题,那样不会能更好保障施工人员人身安全,也会有效避免因安全管理不当带来的经济损失...     

考虑直流电抗器的电容型限流器特性及优化配置

直流电网故障电流抑制已成为相关领域必须面对且亟待解决的重要问题之一。现有的故障抑制方法大多采用单一元件,为充分抑制故障电流的上升速率与峰值,文中提出了综合直流电抗器和电容型限流器特性的故障抑制及优化配置方法。首先,基于模块化多电平换流器的故障等值电路,从抑制原理和动作时序2个角度分析了安装故障限流器的必要性;其次,计算分析了电感和电容对故障电流的抑制特性,并将等值电路和求解方法推广到直流环网中,以故障电流和直流电抗器为目标构建了优化配置模型;最后,将优化结果应用于PSCAD/EMTDC仿真模型中,与仅使用直流电抗器相比,该配置结果可进一步减小40%的故障电流且并未延长故障切除时间,表明综合使用直流电抗器与电容型限流器能够大幅度减小故障电流,降低直流断路器的开断容量。     

化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质

采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜，研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响．增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS，反之则易于生成六方晶CdS．无论立方相还是六方相CdS薄膜，电阻率均在10~4～10~5Ω·cm范围，结晶均匀细致．用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%．     

CIGS薄膜(InGa)2Se3-富Cu-富In(Ga)的演变

采用三步共蒸发工艺顺序沉积铜铟镓硒(CuInGaSe2,CIGS)薄膜.薄膜的厚度、组份、晶相结构分别由台阶仪、X射线荧光光谱仪(XRF)和X射线衍射仪(XRD)来表征.在(In,Ga)2Se3预制层-富Cu相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)5Se8、Cu(In,Ga)3Se5、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe).在富Cu相-富In(Ga)相的演变过程中,依次发生以下相变:Cu(In,Ga)Se2(液相CuxSe)、Cu2(In,Ga)4Se7(或Cu(In,Ga)2Se3.5)、Cu(In,Ga)3Se5、Cu(In,Ga)5Se8.对这两个演变过程中薄膜的生长机理和结构特性进行了讨论.