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1.
徐行  孙嘉良  汪政  杨阳 《计算机科学》2021,48(10):258-265
对抗攻击在图像分类中较早被研究,目的是产生可以误导神经网络预测的不可察觉的扰动.最近,图像检索中的对抗攻击也被广泛探索,研究结果表明最先进的基于深度神经网络的图像检索模型同样容易受到干扰,从而将不相关的图像返回.文中首次尝试研究无需训练的图像检索模型的对抗防御方法,根据图像基本特征因素对输入图像进行变换,以在预测阶段消除对抗攻击的影响.所提方法探索了4种图像特征变换方案,即调整大小、填充、总方差最小化和图像拼接,这些都是在查询图像被送入检索模型之前对其执行的.文中提出的防御方法具有以下优点:1)不需要微调和增量训练过程;2)仅需极少的额外计算;3)多个方案可以灵活集成.大量实验的结果表明,提出的变换策略在防御现有的针对主流图像检索模型的对抗攻击方面是非常有效的.  相似文献   
2.
在水闸工程中,钢丝绳用于连接启闭机和闸门,是卷扬式起升机构中的关键组成部分。启闭机运行时,启闭机钢丝绳偏斜角过大将加重钢丝绳的挤压和磨损,缩短钢丝绳使用寿命,影响工程运行安全。文章以中型水闸望亭水利枢纽为例,分析了钢丝绳偏斜角和钢丝绳偏离卷筒中心线角度的动态变化,计算出两者在运行状态下的最大值,判断是否符合《起重机设计规范》等规范要求。针对望亭水利枢纽水闸钢丝绳偏斜角过大问题,提出两项改进措施:增加启闭机钢丝绳预留长度和更换启闭机卷筒,比选出最优方案,并计算按方案改进后的最大偏斜角,证明了改进措施的有效性,可为其他水闸工程同类问题的解决提供参考。  相似文献   
3.
使用ZMY5/1J型机器生产双针床贾卡提花间隔织物网布与普通间隔织物的网布最大区别是采用了压电贾卡控制系统技术。介绍了压电贾卡控制系统的结构特点、三针技术及ZMYCAD花型设计软件的使用。在此基础上详细说明了使用该机器编织提花间隔织物的工艺设计及编织工艺。  相似文献   
4.
以专利大数据分析为基础,结合产业发展研究,系统梳理了国内外城市地下空间领域专利申请趋势、主要应用场景专利布局情况、国际专利分类表IPC中各技术领域专利分布、国外主要国家和我国主要城市专利申请状况。从分析结果看,中国已经成为引领地下空间领域发展的重要力量;轨道交通是推动城市地下空间发展的重要因素;中国专利数量多,但质量需进一步提升;国内外专利布局技术领域相似度高,中国在地下停车和综合管廊领域具有优势,国外在污水处理和智能化技术方面具有优势;城市地下空间的智能化、综合化、绿色化发展已成为国内外共识和未来方向。  相似文献   
5.
介绍了在双针床七梳机上使用3把绒梳,在前后针床上同时垫纱,编织双针床间隔织物的过程。设计开发了两面平布和两面花型织物的编织工艺,包括机器参数、原料选择、穿纱方式,以及详细的垫纱组织工艺,同时对比分析了毛坯布与成品布的面料参数和技术指标。实践表明,该织物穿用时具有点状凹凸的感觉,表面光滑细腻,且透气性良好,可用于开发功能性鞋垫等产品。  相似文献   
6.
固定卷扬式水闸在运行过程中,启闭机钢丝绳频繁弯曲摩擦和长期受力,会出现各种损伤现象,易造成钢丝绳故障.因此,钢丝绳探伤检查成为工程安全管理中必不可少的项目,科学高效的检查手段可及时发现钢丝绳异常情况,预防钢丝绳断绳事故的发生.文中以望亭水利枢纽为例,介绍钢丝绳电磁探伤系统在工程中的实际应用,分析探伤监测数据成果,及时获...  相似文献   
7.
基于硅通孔(Through silicon via,TSV)技术的硅光转接板是实现2.5D/3D光电混合集成方案之一,TSV和再分布层(Redistribution layer,RDL)是集成系统中信号传输的关键组件。对基于硅光转接板的光电混合集成技术进行了介绍,研究了接地TSV排布对基于SOI衬底的TSVRDL链路传输性能的影响,并展示了带有TSVRDL链路结构的光电探测器的高频特性。该探测器3 dB带宽可以达到31 GHz,为基于硅光转接板的2.5D/3D光电混合集成的实现奠定了基础。  相似文献   
8.
采用ATG-6118H痕量氢在线自动分析仪,监测宁河地震台观测井内氢气浓度变化,针对数据异常突跳、背景值突升问题进行分析研究,查找问题根源,为地震预报提供连续、准确、可靠观测数据奠定基础。  相似文献   
9.
在Si衬底上将单晶GaAs薄膜与其进行异质集成有望为硅基光电集成提供新的材料平台.本文基于对GaAs材料剥离机理的分析阐述,优化了GaAs薄膜转移工艺的离子注入条件.结果表明,相比于He离子单独注入,由于较小的热预算和注入后相对更低的缺陷密度, He/H离子共注入对于GaAs薄膜转移更高效.以Al2O3为键合介质层,通过优化的离子剥离技术成功地将4英寸GaAs薄膜转移到Si(100)衬底上.探索了包括化学机械抛光、臭氧辐照氧化和KOH清洗的表面处理工艺,以将转移后GaAs薄膜的表面质量提高到可以高质量外延的水平.在400°C退火1 h后,转移的GaAs薄膜单晶质量进一步提高, X射线摇摆曲线的半峰全宽仅为89.03 arcsec.  相似文献   
10.
为了研制一种脱毛效果好、成革质量好、不改变现行的生产工艺与设备、又无硫污染、废毛质量也好的综合效益高的脱毛剂与脱毛生产工艺,我们在实验室小试成功的基础上,在黑龙江制革厂试验厂进行了工业生产脱毛试验,共11批次,取得了较满意的效果。 脱毛剂的研制与毒性试验 1.脱毛剂的研制 要求该脱毛剂具有良好的水溶性、具有碱性或易呈显碱性的盐。脱毛时能使巯键水解,即使角蛋白及胶原酰胺基与胶原纤维间的副键等  相似文献   
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