K对InP（100）表面催化氧化反应的同步辐射光电子能谱研究

利用同步辐射光电子能谱研究了Ｋ对Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面的催化氧化反应过程．对于Ｏ２／Ｋ／ＩｎＰ（１００）体系的Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ和价带光电子能谱研究可知，在氧吸附的过程中，Ｏ和Ｐ、Ｉｎ之间发生了化学反应，Ｏ更易于与Ｋ在吸附过程中与ＩｎＰ（１００）衬底之间的界面反应形成的Ｋ－Ｐ化合物中的Ｐ健合．碱金属Ｋ的存在并不直接和Ｏ发生作用，而是起到一种催化剂的作用，增加了电荷向氧传输的能力．使得Ｏ２的分解和吸附变得更加容易．在Ｉｎ４ｄ芯能谱中，Ｉｎ－Ｏ之间的反应并不是很明显，而在价带谱中则可以明显地看到Ｉｎ－Ｏ之间反     

同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP（100）表面氮化反应的影响

利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Ｎａ吸附下于Ｐ型ＩｎＰ（１００）表面对其氮化反应的影响．通过Ｐ２ｐ、Ｉｎ４ｄ芯能级谱的变化，对Ｎａ／ＩｎＰ（１００）表面的氮化反应的研究表明，碱金属Ｎａ的吸附对ＩｎＰ（１００）无明显的催化氮化作用，即使采用Ｎ２／Ｎａ／Ｎ２／Ｎａ／Ｎ２／Ｎａ／ＩｎＰ（１００）的类多层结构，在室温下也只有极少量的氨化物形成，而无明显的催化氮化反应发生．碱金属吸附层对Ⅲ－Ⅴ族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制，碱金属对元素半导体的催化氮化反应，吸附的碱金属与元素半     

多层瓷介高压电容器空洞缺陷引起的畸变电场有限元分析

为分析多层瓷介高压电容器因空洞缺陷引起畸变电场的影响趋势以及引发电击穿的机制,根据麦克斯韦边值关系理论,利用有限元仿真分析了空洞大小和不同介电常数对畸变电场的影响趋势。结果表明,畸变电场随空洞的增大呈幂函数增长趋势,介电常数的增大也会导致畸变电场增大,但会逐渐趋于平稳,畸变电场最多能达到均匀场强区域的1.4倍,因此,空洞大小是导致畸变电场增加的主要影响因素。利用能带理论对畸变电场引发电击穿的机制进行了解释。分析结果对进一步研究空洞缺陷影响电介质材料击穿性能的机制,以及根据实际应用需求研究制定不同种类电介质材料空洞缺陷大小的量化判据有一定参考意义。     

广西桂林供电局：为民服务无时差

为保障用户在春节期间放心用电、安心过年，桂供营销服务人员始终坚守岗位，用心服务每一位客户，解决每一个难题，客户满意笑脸的背后是他们默默付m的辛劳汗水，从点滴小事上，折射了他们以客为尊，和谐共赢的服务理念。     

基于客户-服务器模型的快速数据库应用开发

本文首先分析了客户／服务器程序设计思想及ＰｏｗｅｒＢｕｉｌｄｅｒＲＡＤ特性，在此基础上，结合一个基于客户／服务器模型的大型数据库管理系统的实现策略，深入探讨了如何用ＰｏｗｅｒＢｕｉｌｄｅｒ进行快速数据库应用开发的方法