建设开放性电工电子实验室的初步探究

建立开放式实验室是改革传统的验证性实验教学的有效途径,其目的在于让学生在掌握有关知识和技能的同时,获得较高的创新意识和创新能力。本文将重点介绍开放性实验室—电工电子实验室的建立,为开放实验室建设与管理提供切实可行的途径。     

氧化镓晶体不同晶面的纳米力学性能

为了分析易解理的脆性氧化镓晶体的精密加工过程中材料去除机理,采用金刚石压头、G200型纳米压痕仪,分别对氧化镓晶体的(100)和(010) 2个主要晶面的纳米力学性能进行了试验研究。纳米压痕试验发现:2个晶面都有"pop-in"现象,首次出现pop-in的载荷分别为:4.31 m N和5.42 m N。通过变载荷纳米划痕试验和VK-X110激光显微系统观测,发现2个晶面都有"pile-up"现象,刻划过程中期均出现了塑性域加工特征,(100)和(010)晶面的塑性域加工切削深度范围分别是96.5～576.8 nm和84.6～421.6 nm。     

大型输水工程调度中心与各配水厂通信方案应用研究

大伙房水库输水工程干线与各配水厂控制系统衔接是保证供水安全、调度高效的必然要求。本文重点介绍了三类接入方案的结构特点,并分别进行了对比研究,对控制系统接入方案的选择有一定指导意义。     

视频监控联网系统关键技术及在水利工程中的应用

随着数字监控技术的不断发展,根据水利视频监控系统实际发展情况,结合在辽宁省大伙房 水库输水工程的实际应用,从系统架构、联网控制、海量存储、扩展应用等方面,简单探讨视频监控 联网系统在水利行业的关键技术及应用发展趋势。     

基于PMAC的超声速风洞控制系统软件开发设计

目前设计的超声速风洞控制系统软件采集精准度低,软件程序安全性差;基于PMAC开发设计了一种新的超声速风洞控制系统软件,通过Windows XP平台中的语言编辑器开发与调试程序,选择PMAC运动控制卡操作控制程序,利用XP系统进行程序协调,完成程序内的上位机与通信模型的数据编写,在64种功能函数下计算和提取程序代码,根据3个独立的风动参数进行PID计算,应用集成软件统一配置计算机中的软件资源,确保在程序的控制下其他软件程序可以自行执行相应的工作,以Fame View组态软件作为此程序的运行基础,采用C++语言编写,开发监控程序;实验结果表明,基于PMAC的超声速风洞控制系统软件采集精准度得到了提高,监测范围较大,且监测波动较稳定,有效保证了软件程序的安全性。     

引供水工程中泵站流量控制调节的实现

介绍了引供水工程中流量控制调节的方式与流量调节的重要性,阐述了泵站流量控制调节的理论模型与实现方法。在流量—转速(或流量—角度)调节方式的基础上,提出了泵组流量控制的比例—积分—微分(PID)调节方式,分析了PID调节的基本原理、参数确定、闭锁要求及主要调试步骤。     

基于ANSYS Workbench的铜质研磨盘热结构耦合分析

在研磨氧化镓晶片时,由于铜质研磨盘的导热系数和热膨胀率较大,因此研磨盘各个部位的热变形量也会因为温度的不同而不同。通常在加工前需要对研磨盘加工时的变形量进行预测,并对研磨盘表面进行平面补偿。选取了3组不同补偿角的研磨盘,基于ANSYS Workbench对它们分别进行瞬态热结构耦合分析。结果表明:当补偿角为0.003°时铜盘补偿效果最好。该方法为不同研磨工况下研磨盘补偿角的选定提供了参考。     

大伙房水库输水工程累计流量数据的处理与通讯方案

作为输水工程中最重要的计量工具,流量计通常用浮点型数据来保存累计流量数据,而作为数据采集处理的核心PLC本身并无直接可用的处理浮点型数据的函数.文章对该类问题进行了研究,在PLC及上位机中对数据进行了一系列处理,采用所述方案,既实现了超大数据的有效上传,又保证了较好的精度,很好的满足了管理单位的需求.     

第二届全国数控技能大赛理论竞赛试题简要点评和总结

紧张激烈的第二届全国数控技能大赛已经结束了.真可谓"硝烟散尽,偃旗息鼓",各个奖项各归其主.当大家都在兴高采烈,津津乐道地谈论自己的成绩、盘点自己的名次时,我作为理论试卷的主要命题人之一、实操竞赛现场的裁判长,感觉到这次竞赛值得我们认真地总结和回味.     

抛光垫特性对氧化镓CMP影响的实验研究

对比分析了不同抛光垫的表面形貌、表面粗糙度、硬度以及涵养量对氧化镓晶片化学机械抛光过程中表面质量和材料去除率的影响规律,结果表明:在同一抛光参数条件下,Suba600无纺布抛光垫的材料去除率最大,为30.8nm/min,但抛光后氧化镓表面有明显的凹坑;Politex阻尼布、LP57聚氨酯抛光垫抛光后晶片表面形貌都较好,获得了镜面无损伤晶片表面,但LP57聚氨酯抛光垫的材料去除率为22.6nm/min,大于Politex阻尼布抛光垫16.4nm/min的材料去除率;LP57聚氨酯抛光垫更适合对单晶氧化镓晶片进行化学机械抛光。该研究为氧化镓化学机械抛光(CMP)提供了参考依据。