四探针Mapping自动测试仪中电阻率温度系数的规范化拟合多项式的应用

本文回顾了单晶硅及扩散硅的电阻率温度系数(TCR)的实验结果,认为美国ASTM的TCR曲线是比较完整,确切的.利用我们开发的规范化多项式拟合方法,可将它表示成五阶多项式.将它存入具图像识别四探针定位功能自动测试系统的计算机中后,可以立即得到折合到23℃的硅单晶断面的电阻率分布.本文阐述了规范化拟合的原理,给出了单晶硅的TCR的拟合结果.     

压力传感器引线键合的质量控制及优化工艺条件的实现

本文首先对压力传感器的引线材料及相互间接触界面的冶金效应,引线的可键合性、可靠性及其影响因素做了介绍;然后对超声键合工艺、焊点质量的控制作了描述;最后阐述了我们所采用的引线工艺步骤,其能实现引线键合的工艺优化.     

基于语音存在概率和听觉掩蔽特性的语音增强算法

低信噪比下,谱减语音增强法中一直存在的去噪度、残留的音乐噪声和语音畸变度三者间均衡这一关键问题显得尤为突出。为降低噪声对语音通信的干扰,提出了一种适于低信噪比下的语音增强算法。在传统的谱减法基础上,根据噪声的听觉掩蔽阈值自适应调整减参数,利用语音存在概率,对语音、噪声信号估计,避免低信噪比下端点检测(VAD)的不准确,有更强的鲁棒性。对算法进行了客观和主观测试,结果表明：相对于传统的谱减法,在几乎不损伤语音清晰度的前提下该算法能更好地抑制残留噪声和背景噪声,特别是对低信噪比和非平稳噪声干扰的语音信号,效果更加明显。     

硅的电阻率温度系数～电阻率关系几种拟合方法的比较

本文以硅单晶的电阻率温度系数～电阻率非线性曲线为应用对象,用直线最小二乘法、牛顿插值法、规范化多项式、MATLAB 3次、4次及5次曲线分别进行拟合近似逼近,并得到各自的多项式,用到表和图线以作对比.结论是牛顿插值法、规范化多项式法、MATLAB 5次曲线最为逼近.     

基于无语音概率改进的对数谱幅度估计增强算法

针对谱减语音增强法中一直存在的去噪度、残留的音乐噪声和语音畸变度三者间均衡这一关键问题,本文提出一种基于无语音概率改进的对数谱估计增强算法.该算法结合无语音概率的思想,按照纯噪声帧和带噪语音帧两种状态.有区别地实时更新语音最小均方误差的对数谱增益,并利用无语音概率参数(SAP)自适应地调节平滑系数,以求随着噪声环境的变化,在去噪度、残留"音乐噪声"和语音畸变度之间自适应地折中.实验表明,该算法在相同去噪程度下,语音畸变和音乐噪声相对其他谱减法都同时地减弱,特别在低信噪比环境下优势更明显,而且平滑参数利用SAP参数,无需多余计算,便于实时处理.     

用溅射法制备ZnO薄膜丙酮气敏传感器

本文首先扼要介绍了ZnO的晶体结构以及作为压电、压敏、发光、透明导电薄膜的用途.还介绍了两种溅射方法制备ZnO薄膜.研究了ZnO薄膜的气敏性,发现经适当处理后仅对丙酮有择优气敏性.     

硅的电阻率温度系数～电阻率关系Si几种拟合方法的比较

本文以硅单晶的电阻率温度系数～电阻率非线性曲线为应用对象,用直线最小二乘法、牛顿插值法、规范化多项式、MATLAB3次、4次及5次曲线分别进行拟合近似逼近,并得到各自的多项式,用到表和图线以作对比。结论是牛顿插值法、规范化多项式法、MATLAB5次曲线最为逼近。