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光参量振荡(OPO)技术是目前实现全固态可调谐高功率3~5μm中红外激光的主流方案,其核心是红外非线性光学晶体,晶体品质决定红外激光功率水平。磷锗锌(ZnGeP2, ZGP)晶体性能优异,被称为"中红外非线性光学晶体之王",但在0.7~2.2μm附近存在异常的光学吸收带,这阻碍了ZGP OPO功率的进一步提升。针对这一问题,采用自制的梯度冷凝炉,结合超低梯度冷凝技术,生长出3.8~5.0 cm大尺寸ZGP单晶,通过定向、切割、退火、抛光、镀膜等处理后,成功实现了多种规格OPO器件的生产,最大器件尺寸达30 mm×30 mm×40 mm,器件在波长2.09μm和1.064μm处的吸收系数分别低至0.015 cm-1和0.4 cm-1。采用单块超低吸收ZGP OPO器件,实现了3~5μm高功率中红外激光输出,功率达107 W,斜率效率为75%,光光效率为61.8%,光束质量(M2)为3.1左右。 相似文献
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随着FPGA芯片在安全领域上的广泛应用,有关FPGA密码芯片的抗DPA研究也越来越受关注,但目前的研究成果大多针对智能卡的安全防护.针对功耗分析技术的特点及关键技术,特别是DPA技术进行研究,提出了具体的改进防御方法.使用硬件描述语言VHDL在现场町编程门阵列(FPCA)上实现具备加密/解密功能的DES核,采用掩码方法对DES硬件结构进行改进,通过仿真和实验进行功能验证,改进的加密算法结构性能符合要求,在理论上具有抗DPA攻击的能力. 相似文献
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为了减少集成电路密码芯片工作时的电磁信息泄漏,设计具有防护能力的加密芯片.在研究CM06集成电路电磁辐射原理的基础上,分析了电磁辐射产生数据相关性的机理.以电偶极子为模型,简化了电磁计算的方法,对基本的CMOS电路工作过程进行分析.采用TSMC 0.18工艺设计CMOS反相器,并对该反向器进行电磁辐射仿真.建立评估模型并对金属层电磁辐射的信息泄漏进行评估.结果表明,电路工作时NMOS金属层、PMOS金属层和输出线的金属层产生的电磁辐射均会导致信息泄漏,长度相等时,输出线金属层的电磁信息泄漏更强. 相似文献
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