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1.
建立一种有效修正相场模型来模拟小平面枝晶生长形貌。通过该模型分别研究网格大小、各向异性值、过饱和度及不同重对称性对小平面枝晶生长形貌的影响。结果表明,随着时间的推移,晶核生长为六重对称性的小平面形貌。当网格尺寸大于640×640时,小平面形貌不受模拟网格大小的影响。随着各向异性值的增加,小平面枝晶的尖端速度增大到一个饱和值后再逐渐降小。随着过饱和度的增加,晶核从一个圆形演化为发达的小平面枝晶形貌。根据Wulff理论和对应的小平面对称性模拟形貌图,证明所提出的模型是有效的,并能够拓展到任意重对称性的晶核生长的模拟。  相似文献   
2.
锚喷支护是靠其先进性、技术性和可靠性来保证的,各矿在推广应用锚喷支护技术时要坚持科学态度,依靠科学技术进步,高度重视锚喷支护的技术问题,积极推广应用新技术、新机具、新材料、新工艺。目前,锚喷支护理论日益完善,但在实际施工实践中,理论成果运用不足。文章阐述了锚喷支护在煤矿巷道支护中的应用经验,希望为其他煤矿巷道支护工作提供一定的理论经验。  相似文献   
3.
构筑NiO/Ga2O3 p+-n异质结是克服Ga2O3 p型掺杂瓶颈从而实现双极型功率电子器件的有效途径,然而限制器件性能的缺陷行为与双极型电荷输运等物理机制尚不明晰.本论文研究了NiO/Ga2O3 p+-n异质结中陷阱介导的载流子输运、俘获和复合动力学之间的内在关联特性.变温电流-电压特性的量化分析表明,在正偏亚阈值区,陷阱辅助隧穿占据主导地位,符合多数载流子陷阱介导的Shockley-Read-Hall复合模型,其陷阱激活能为0.64 eV,与深能级瞬态谱测试的陷阱能级位置(EC-0.67 eV)非常吻合;当正向偏压大于器件开启电压时,器件输运特性由少数载流子扩散所主导,器件理想因子接近于1.在反向偏置的高场作用下,器件漏电机制则由β-Ga2O3体材料中的陷阱引起的PooleFrenkel (PF)发射所导致. PF发射的势垒高度为0.75 eV,与等温变频深能级瞬态谱测得的陷阱能级位置...  相似文献   
4.
作为一种新兴的超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga2O3)被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga2O3,亚稳相Ga2O3表现出更为新颖的物理性质,逐渐受到关注。通过异质外延生长高质量的亚稳相Ga2O3单晶薄膜是实现亚稳相Ga2O3基功率电子、微波射频和深紫外光电信息感知器件的重要前提。重点阐述了亚稳相Ga2O3的晶体结构、电子能带结构以及相关物理性质,总结了近年来亚稳相Ga2O3异质外延和能带工程的研究进展,并对未来亚稳相Ga2O3材料和器件的发展趋势进行了展望。  相似文献   
5.
某钢厂热轧层流冷却辊道电机额定电压620 V,采用变频控制,逆变器采用PWM调制驱动,电机与逆变器间电缆长度超过200 m,因频繁出现电机绕组绝缘击穿的故障,对轧线生产造成负面影响。针对变频器长电缆传输的工况,通过采集电机端电压波形,分析了绕组提前损坏的原因,提出了改进措施,在供电回路中投用出线电抗器,线圈损坏问题明显改善,电机下线数量明显下降,为生产节奏、产品质量及成本提供了有力保障。  相似文献   
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