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一、引言为了提高 MOS 集成电路的工作速度和集成密度,以往多采用等比例缩小方法。然而当 MOS 器件的尺寸缩小到一定程度后,会出现一系列问题,如阈值电压降低、漏源穿通电压下降,热电子效应引起的阈值电压不稳定,二次碰撞电离产生的衬底电流等。降低氧化层厚度和减小结深,虽然可以使阈值电压和源漏穿通电压降低问题得到改善,但它 相似文献
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在完成6800系列电路27个品种的研制之后,我们又开展了8086/80C86 16位 CPU 及其配套电路的研制和开发,八六年首先完成了八位锁存器——LT8282/LT8283、LC82C82/LC 82C83,八位总线收发器——LT8286/LT8287的研制,并在八六年十二月我所举行的4707鉴定会上通过了电子工业 相似文献
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