求解一类特殊的双层规划问题的遗传算法

主要研究上层函数及其约束函数不要求具有凸性和可微性,下层是关于下层决策变量是凸二次规划的双层规划模型,通过Karush-Kuhn-Tucher 条件转化为一个单层规划,利用下层是正定二次规划,将下层的决策变量表示为关于 Lagrangian乘子的表达式,从而降低了搜索空间的维数,设计了遗传算法,并通过数值实验表明该遗传算非常有效。     

设备年度大修的探讨

在大型化工企业的设备管理中,一般都要安排设备年度大修,对装置中存在的问题进行处理,以达到消除事故隐患、提高设备运行效率之目的.但如何合理安排好大修,比如大修的周期多长为好、检修时间多长合适、立项的程序与要求等等,则是技术性较强的问题.这些问题处理好了,就能缩短大修时间、降低大修费用、提高经济效益.     

高压蒸汽过滤器爆管原因分析及修复

对高压蒸汽过滤器03B003E01爆管原因进行了分析，介绍了修复的程序及方法，提出避免类似事故的方法和措施。     

立式MOCVD反应室感应加热温度场的有限元分析*

The temperature field in the vertical metalorganic chemical vapor deposition （MOCVD） reactor chamber used for the growth of GaN materials is studied using the finite element analysis method （FEM）. The effects of the relative position between the coils and the middle section of the susceptor, the radius of the coil, and the height of the susceptor on heating condition are analyzed. All simulation results indicate that the highest heating efficiency can be obtained under the conditions that the coil distributes symmetrically in the middle section of the susceptor and the ratio of the height of the susceptor to that of the coil is three-quarters. Furthermore, the heating efficiency is inversely proportional to the radius of the coil.     

一种改进的AlGaN/GaN HEMT全局直流模型

对Angelov直流FET模型进行改进,并应用同一遗传算法对改进前后的模型进行全局直流模型参数提取,平均相对误差分别为4.58%和1.8%。将模型计算值与实验数据进行对比,结果表明,改进后的模型能更加准确地描述AlGaN/GaN HEMT源漏电流随栅、漏电压变化的全局直流输出特性,从而为AlGaN/GaN HEMT提供一种准确的全局直流模型和精确的参数提取方法。     

我国"水务"内涵探析

目前“水务”的内涵没能形成可供学术对话的统一语境。在辨识“水务”一般特征和分析“水务”在词汇学意义上的内涵的基础上,通过分析“水务”未被2002年《水法》吸收的内外部原因,提出我国涉水立法研究应以深入挖掘我国“水务”的内涵为切入点,引导和推动水资源管理体制改革研究方法的更新,以实现我国水资源管理体制由行业管理模式向政府管制模式的转变。     

一种AlGaN/GaN HEMT非线性器件模型参数提取的方法

该文提出一种新的绝对误差函数,应用该函数进行非线性模型参数提取可以避免计算误差,显著降低参数提取的不准确性。由于氮化物半导体器件,尤其是AlGaN/GaN HEMT器件已经开始得到广泛应用,其模型和参数对射频和电力电子器件和电路设计至关重要,分别使用3种误差函数对 AlGaN/GaN HEMT器件模型进行了参数提取并对比,对比结果表明该文提出的误差函数更加精确和有效。同时为今后的电子器件的模型参数提取提供了一种有效且精确的方法。     

过渡段天花板组件技术改造

介绍一段转炉过渡段天花板组件损坏原因和进行4次修复与改造的过程，总结了实施技改的经验，提出了避免事故的措施。     

晶向的各向异性对InN耿氏二极管的影响

由于InN材料具有各向异性的特性,其电子迁移率沿c轴(Γ-A方向)和底面(Γ-M方向)不同,同时,其负微分电阻率在不同晶向上也不同。利用Farahmand Modified Caughey Thomas(FMCT)迁移率模型描述了InN材料在不同晶向上的电子输运特性,利用文中提出的参数提取方法分别提取了InN在不同晶向上的FMCT模型参数。为了将InN材料的各向异性特性应用于耿氏(Gunn)二极管的制作,使用Silvaco-atlas半导体仿真软件对纤锌矿InN n⁺ⁿⁿ⁺和n⁺ⁿ-nn⁺两种结构的耿氏二极管进行数值仿真,对沿两个晶向上制作的InN耿氏二极管的输出特性进行了比较。结果表明:InN耿氏二极管沿Γ-A方向比沿Γ-M方向获得的频率和转化效率更高。InN材料沿Γ-A方向更适合制作耿氏二极管,该研究为制作InN耿氏二极管提供了参考。