一种具有屏蔽层的压力传感器工艺仿真与设计

本文从传统多晶硅薄层作为屏蔽层的压力传感器的不足点入手,提出了一种在P型压敏电阻区域使用离子注入工艺进行磷掺杂,形成N型反型层作为压力传感器压敏电阻屏蔽层的方案。利用Sentaurus TCAD软件进行了工艺仿真,并模拟计算了屏蔽层对压敏电阻在外界电场和环境温度变化时所起的稳定性作用。