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1.
为解决通过更改器件设计来提升电路抗静电放电(ESD)能力时成本高的问题,从栅控二极管的工艺出发,研究CAN总线电路抗ESD能力提升方法。通过TCAD仿真,评估了沟道掺杂对于栅控二极管抗ESD能力的影响,发现调整ESD离子注入工艺可以优化栅控二极管导通电阻,提高ESD保护窗口内的泄流能力,将电路抗ESD能力从2 000 V提高到3 000 V,为电路级芯片的失效问题提供了一种解决方案。 相似文献
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3.
4.
5.
为了解我县人群白喉、破伤风免疫水平,评价近几年儿童计划免疫工作,预测白喉、破伤风流行态势,我们抽取各年龄组部分人群进行抗体测定,现将结果报告如下。选择1、3、5岁组儿童各30名,小学各年级15~20人,初高中各年级30~40人,在全县体检的驾驶员中每年龄段抽取20~30人,医院妇产科采脐带血13份,可供检测的血样共551份。应用间接血凝法检测血清抗体,结果换算成IU/ml,在0.0039~2.0IU/ml范围内统计,按≥0.01IU/ml计算保护率,同时计算GMT。结果学龄前儿童抗体水平较高,表明近年基础免疫较满意。学生、成人抗体水平较低… 相似文献
6.
应变硅NMOS晶体管沟道应变的模拟研究 总被引:1,自引:1,他引:0
建立了一种基于硅/锗硅异质结构的应变硅NMOS晶体管的有限元模型,通过模拟研究了沟道区的应变分布及其与器件参数的关系。结果表明,提高锗硅虚拟衬底中锗的摩尔组分、减小应变硅层厚度,可以增加沟道应变。此外,应变量还随器件结构长度的增加而增加。研究结果可为应变硅器件的设计、工艺优化提供参考依据。 相似文献
7.
绝缘体上硅(SOI)技术因其独特的优势而广泛应用于辐射和高温环境中,研究不同顶层硅膜厚度(tSi)的器件特性,对进一步提升高温抗辐照SOI CMOS器件的性能至关重要。本工作首先通过工艺级仿真构建了N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的模型,并对其进行了分析,基于仿真结果,采用015 μm抗辐照SOI CMOS工艺制备出具有不同硅膜厚度的实际器件,该工艺针对高温应用引入了设计与材料的优化。结果表明,薄硅膜和厚硅膜NMOSFET在150 krad(Si) 总剂量辐射下表现出相近的抗辐照加固性能,而前者在225 ℃高温下具有较小的漏电流,因此具有较薄硅膜的NMOSFET更适用于高温电子器件的制造。 相似文献
8.
9.
张庆东 《机械工人(冷加工)》1985,(2)
我厂在加工不锈钢及合金钢非标准螺母时,设计了刨六方夹具。更换心轴后可加工四方螺母。工件通过心轴前端互成60°角的V形槽定位(图1)。钳口5和顶尖6(图2)及心轴,均需淬火处理,心轴需根据工件要求选定长度。拖板8用螺栓与钳体4联接,转动丝杆时钳体4在底座9的滑轨上移动。尾座7通过带齿拖板与底座9滑轨下部的齿紧固,心轴长短不同时,可根据需要调节。 相似文献
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