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具有滞回功能的过温保护电路 总被引:1,自引:0,他引:1
在分析现有过温保护电路的基础上,针对电路结构复杂、功耗较高、受工艺参数影响较大等缺点提出了一种采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路中不使用电阻和迟滞比较器,通过简单正反馈实现温度的迟滞特性来避免热振荡对芯片带来的危害.采用0.6μm BiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路能很好地抑制由由于电源电压和工艺参数变化造成的热关断阙值点的漂移,适用于各种芯片. 相似文献
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针对传统电流源受工艺参数影响较大的问题,提出了一种利用电压差平方电路来解决这个问题的思路;设计了一种新颖的受工艺参数影响较小的基准电流源电路,该电路采用0.6μm的BiCMOS工艺设计,利用Hspice进行仿真验证;结果表明,该电路在典型边界条件下-40℃~85℃范围内输出基准电流温度系数为17ppm/℃,变化率约0.2%,在6种不同边界条件下输出基准电流变化约为±1.72%。 相似文献
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