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首次采用CF4等离子体技术实现可用于功率变换的增强性AlGaN/GaN功率器件。实验结果表明,当AlGaN/GaN器件经功率150W和时间150s等离子体轰击后,器件阈值电压从-4V被调制约为0.5V,表现为增强型。当漂移区LGD从5μm增加到15μm,器件的击穿电压从50V迅速增大到400V,电压增幅达350V。采用长度为3μm源场板结构将器件击穿电压明显地提高,击穿电压增加约为475V,且有着比硅基器件更低的比导通电阻,约为2.9mΩ.cm2。器件模拟结果表明,因源场板在远离栅边缘的漂移区中引入另一个电场强度为1.5MV/cm的电场,从而有效地释放了存在栅边缘的电场,将高达3MV/cm的电场减小至1MV/cm。微波测试结果表明,器件的特征频率fT和最大震荡频率fMAX随Vgs改变,正常工作时两参数均在千兆量级。栅宽为1mm的增强型功率管有较好的交直流和瞬态特性,正向电流约为90mA。故增强型AlGaN/GaN器件适合高压高频大功率变换的应用。 相似文献
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设计了一款带有通用AHB总线从机接口的DES IP核,能在500MHz频率的总线下很好地工作,DES模式下加、解密转换速率可达到1.6Gb/s,3DES模式下加、解密转换速率可达到615Mb/s.用VCS软件仿真并用DC软件综合后结果均符合设计要求. 相似文献
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首次采用多晶硅发射区 RCA技术制备出微波功率晶体管。在工作频率为 3 .1 GHz时 ,该器件输出功率达到 6W,功率增益达到 1 0 d B。与普通多晶硅发射区 HF晶体管相比 ,此种晶体管具有电流增益 h FE随温度变化小、并且在一定温度下达到饱和的优点 ,从而可以在一定程度上抑制微波双极功率晶体管由于温度分布不均匀导致的电流集中。文中还讨论了不同的杂质激活条件对 RCA器件直流增益的温度特性的影响及对微波性能的影响 相似文献
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一种4-Mb高速低功耗CMOS SRAM的设计 总被引:2,自引:1,他引:1
高性能的系统芯片对数据存取速度有了更严格的要求,同时低功耗设计已成为VLSI的研究热点和挑战.本文设计了一款4-Mb(512K×8bit)的高速、低功耗静态存储器(SRAM).它采用0.25μm CMOS标准工艺和传统的六管单元.文章分析了影响存储器速度和功耗的原因,重点讨论了存储器的总体结构、灵敏放大器及位线电路.通过系统优化,达到15ns的存取时间. 相似文献
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本文设计了一种基于数字音频系统应用的低功耗2-1三阶级联1位Δ∑调制器.电路采用SMIC 0.25um数字CMOS工艺进行设计.仿真结果表明,当输入幅值为1.5V、频率为1KHz正弦波信号、采样率为3.2MHz时,该调制器的SNR和SNDR分别为104dB和96.2dB,而整个调制器的功耗仅为6.18mw. 相似文献
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<正>硅平面双极晶体管自问世以来,其频率和功率性能不断提高,发展迅速。但是,当频率提高到C波段以上时,由于其频率性能的提高与输出功率、散热性能和寄生参数等都发生了尖锐的矛盾。因此,硅微波功率管在C波段以上频段发展缓慢,并且渐渐被GaAs FET功率管所替代。然而,硅双极晶体管具有比GaAs FET低得多的相位噪声,所以,C波段硅功率管在卫星通讯等微波整机系统中仍有广泛的用途,国内的需求也非常迫切。 南京电子器件研究所硅工艺线采用先进的T形电极新结构、掺砷多晶硅发射区、BF_2。离子注入形成极薄的基区、反应等离子刻蚀技术和局部氧化等技术,用Ф75mm硅片研制成功C波段硅功率管。器件的典型微波参数是: 相似文献