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1.
2.
CVD金刚石膜{100}取向在改进化学反应模型下生长的原子尺度模拟 总被引:2,自引:0,他引:2
建立了CVD金刚石膜{100}取向生长过程中的化学反应模型,表面吸附生长机制以沟槽处碳氢组元加入的机制为主,并用改进的KMC方法在原子尺度上模拟了该模型下(100)表面的生长过程,给出了衬底温度和甲基浓度等操作参数对膜质量的影响,结果表明,该化学反应模型能够较实际地揭示{100}取向CVD金刚石膜的生长。 相似文献
3.
4.
Al2O3-SiC-C质铁水罐整体浇注技术 总被引:1,自引:0,他引:1
在实际生产条件下,对铁水罐衬的耐火材料、铁水罐衬的砌筑工艺、烘烤制度进行了改进.结果表明,铁水罐采用耐火材料整体浇注比用砖砌筑的成本低、使用寿命长、周转效率高,满足了炼钢生产的需求. 相似文献
5.
6.
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8.
约束处理是约束优化的关键问题,特别是非线性约束的处理一直缺少特别有效的解决方法,将惩罚函数法与修复策略结合使用,可以有效地避免迭代过程中大量非可行解的产生,使得约束优化问题在惩罚函数和修复算子的协同作用下收敛于全局最优,较好地解决了在遗传算法约束优化问题中单独使用惩罚和修复方法时一些难以解决的问题。基于随机方向法构造的修复算子作用效果显著,采用多个测试函数对算法进行检验,均能较好地收敛于可行域中的最优解,验证了算法的可靠性。 相似文献
10.
用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝. 相似文献