金刚石膜的计算机虚拟制备技术中的分子动力学模拟

综述了近年来金刚石薄膜形成过程的分子动力学（Molecular Dynamics，简称MD）模拟研究，详细地阐述了原子间相互作用势的选取，总结了不同沉积条件下MD的计算模型和几种典型情况下的模拟结果。研究表明：在原子尺度上，MD方法能较全面地提供有关膜生长的信息，对进一步了解金刚石膜形成的微观机制以及为细观层次仿真提供基本信息均具有重要意义。     

CVD金刚石膜{100}取向在改进化学反应模型下生长的原子尺度模拟

建立了CVD金刚石膜{100}取向生长过程中的化学反应模型，表面吸附生长机制以沟槽处碳氢组元加入的机制为主，并用改进的KMC方法在原子尺度上模拟了该模型下（100）表面的生长过程，给出了衬底温度和甲基浓度等操作参数对膜质量的影响，结果表明，该化学反应模型能够较实际地揭示{100}取向CVD金刚石膜的生长。     

同伴互评在计算机课程教学中的应用研究

为了进一步探讨并发挥同伴互评在计算机课程中的效果,提出双通道评价反馈机制、详细评分标准、有偿同伴互评和多粒度同伴互评4方面实施手段,以3门计算机课程为研究对象,总结2017-2019年的课程成绩,通过对比分析,验证基于同伴互评实施手段可以在多种课程中有效激发学生自主学习兴趣,提高学习质量.     

Al2O3-SiC-C质铁水罐整体浇注技术

在实际生产条件下,对铁水罐衬的耐火材料、铁水罐衬的砌筑工艺、烘烤制度进行了改进.结果表明,铁水罐采用耐火材料整体浇注比用砖砌筑的成本低、使用寿命长、周转效率高,满足了炼钢生产的需求.     

火电站用T23/TP316H异种金属焊接接头服役损伤分析

通过试验研究分析了服役后的高温蒸汽管道中T23/TP316H异种金属焊接接头的微观组织、成分和氧化情况.结果表明,在540℃/17 MPa条件下服役10万h后,TP316H钢侧虽会被氧化,但未发现明显的会导致接头早期失效的潜在危险因素;T23钢侧会出现沿焊缝/热影响区界面的氧化,并出现了沿界面的开裂.T23钢与镍基焊缝...     

一种软体仿金枪鱼机器人方案设计及分析

针对海上搜救和海上勘探的需求,设计一种气动变腔驱动器软体机器人模拟金枪鱼推进运动,可有效增加推进效率、减少能耗.本文研究金枪鱼尾部的推进机理,通过UG完成了软体仿金枪鱼机器人的尾部、前身及平衡鳍结构进行设计,对结构进行分析,简化尾部的力学模型,基于Yeoh本构模型在ANSYS中对尾部软体驱动器和软体仿金枪鱼机器人模型进...     

USB2.0接口芯片CY7C68013的固件程序开发

USB2．0接口技术为外设与主机之间提供了一种灵活高效的双向数据通道。可广泛地应用于数据采集、工业控制和消费数码等方面。本文简要介绍了支持USB2．0协议的接口芯片CY7C68013的结构。分析了CY7C68013芯片的固件程序框架的结构。给出了如何在该固件程序框架下使用C语言进行固件程序开发的方法。     

基于惩罚和修复混合策略的约束处理方法

约束处理是约束优化的关键问题,特别是非线性约束的处理一直缺少特别有效的解决方法,将惩罚函数法与修复策略结合使用,可以有效地避免迭代过程中大量非可行解的产生,使得约束优化问题在惩罚函数和修复算子的协同作用下收敛于全局最优,较好地解决了在遗传算法约束优化问题中单独使用惩罚和修复方法时一些难以解决的问题。基于随机方向法构造的修复算子作用效果显著,采用多个测试函数对算法进行检验,均能较好地收敛于可行域中的最优解,验证了算法的可靠性。     

InxGa1-xN合金薄膜In的表面分凝现象

用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝.