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良好的抛光表面,对改善硅器件性能起着重大作用,本工作特别研究了经过等离子体抛光(干式加工)后硅的表面特性。实验表明,经过等离体抛光后,硅的原始表面损伤密度可减至最少程度,只剩下个别特别深的伤痕。相应的电子衍射实验发现与这些机械损伤相联系的带点的衍射环,随着抛光的加深而逐渐减少,当抛光深度足够深并经过氧化后,表面的机械损伤可基本消除,相应的衍射花样则是典型的硅单晶的衍射图。 其次,等离子体抛光后的样品能改善由此所形成的Si-SiO_2系统的一些电学性质,发现: ①在此抛光面上热氧化生成的SiO_2薄层的耐压强度有所提高——对同一片子取样,最大击穿电场由没有抛光的约小于1×10~6v/cm提高到抛光后大于6×10~6V/cm。 ②由MOS电容测得表面储存时间Ts由毫秒数量级提高到大于10秒的数量级。 本工作还发现一个值得注意的现象,在这种射频辐射场中进行的干法抛光会在Si表面产生一定程度的“电损伤”,电子衍射花样表明这是一种表面结构损伤,随加工时间增长而增大,严重时可使表面几十至几百埃左右的一层晶格排列严重混乱,甚至变成接近多晶以至无定形状态。有趣的是,这种“电损伤”会对随后热氧化形成的Si-SiO_2系统特性带来直接影响,使其表面固定电荷Q_(ss)与界面态N_(ss)与不经抛光的样品比较,严重 相似文献
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三代木麻黄林中稀土元素的含量与分布 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了海南岛滨海砂土上3代木麻黄林生态系统中稀土元素含量和分布。土壤稀土元素分布模式基本上与世界土壤和我国土壤相同,呈负斜率分布,轻稀土相对富集,土壤和植物都存在不同程度的Eu负异常。木麻黄林下砂土的稀土元素总含量很低,从第1代林到第3代林分别为:42.716、45.416、14.457μg/g。植物体中的稀土元素的总含量也很低。从第1代林到第3代林,木麻黄根ΣREE分别为0.722、1.444、1.887μg/g,枝分别为0.354、0.318、0.267μg/g,叶分别为0.492、1.312、0.715μg/g。第3代木麻黄林土壤中ΣREE最低,但根中的ΣREE最高,叶中的ΣREE高于第1代林。表明幼林对稀土元素摄取强烈。在土壤植物—系统中稀土元素分布为土壤>根>叶>粗枝。 相似文献
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