鼎湖山和尖峰岭土壤及凋落物中微生物数量季节动态

研究海南岛尖峰岭和广东鼎湖山两样地采集的土壤样品及森林凋落物样品中细菌、放线菌和真菌三类微生物数量的季节动态变化。结果表明:两样地的土壤及凋落物中各类群微生物数量均有明显的季节变化;同一微生物类群在凋落物和土壤中的数量均有明显而相似的季节变化;凋落物中各类微生物的数量都较土壤中的多。     

等离子体抛光硅的表面特性

良好的抛光表面,对改善硅器件性能起着重大作用,本工作特别研究了经过等离子体抛光(干式加工)后硅的表面特性。实验表明,经过等离体抛光后,硅的原始表面损伤密度可减至最少程度,只剩下个别特别深的伤痕。相应的电子衍射实验发现与这些机械损伤相联系的带点的衍射环,随着抛光的加深而逐渐减少,当抛光深度足够深并经过氧化后,表面的机械损伤可基本消除,相应的衍射花样则是典型的硅单晶的衍射图。 其次,等离子体抛光后的样品能改善由此所形成的Si-SiO_2系统的一些电学性质,发现: ①在此抛光面上热氧化生成的SiO_2薄层的耐压强度有所提高——对同一片子取样,最大击穿电场由没有抛光的约小于1×10~6v/cm提高到抛光后大于6×10~6V/cm。 ②由MOS电容测得表面储存时间Ts由毫秒数量级提高到大于10秒的数量级。 本工作还发现一个值得注意的现象,在这种射频辐射场中进行的干法抛光会在Si表面产生一定程度的“电损伤”,电子衍射花样表明这是一种表面结构损伤,随加工时间增长而增大,严重时可使表面几十至几百埃左右的一层晶格排列严重混乱,甚至变成接近多晶以至无定形状态。有趣的是,这种“电损伤”会对随后热氧化形成的Si-SiO_2系统特性带来直接影响,使其表面固定电荷Q_(ss)与界面态N_(ss)与不经抛光的样品比较,严重     

三代木麻黄林中稀土元素的含量与分布

研究了海南岛滨海砂土上3代木麻黄林生态系统中稀土元素含量和分布。土壤稀土元素分布模式基本上与世界土壤和我国土壤相同,呈负斜率分布,轻稀土相对富集,土壤和植物都存在不同程度的Eu负异常。木麻黄林下砂土的稀土元素总含量很低,从第1代林到第3代林分别为:42.716、45.416、14.457μg/g。植物体中的稀土元素的总含量也很低。从第1代林到第3代林,木麻黄根ΣREE分别为0.722、1.444、1.887μg/g,枝分别为0.354、0.318、0.267μg/g,叶分别为0.492、1.312、0.715μg/g。第3代木麻黄林土壤中ΣREE最低,但根中的ΣREE最高,叶中的ΣREE高于第1代林。表明幼林对稀土元素摄取强烈。在土壤植物—系统中稀土元素分布为土壤>根>叶>粗枝。