180元长波碲镉汞线列光导探测器研制

本文报道了长波180元碲镉汞线列光导探测器的初步研制结果,较为详细地介绍了各步探测器制造工艺以及探测器性能的测试结果。最终得到的拼接和单片180元线列器件,其平均峰值探测率D_(xp)~*达2.0×10~(10)cmHz~(1/2)W~(-1),电串音小于5％,功耗小于150mW。     

关于小视场下HgCdTe探测器性能的分析

关于小视场下HgCdTe探测器性能的分析     

关于小视场下HgCdTe光导探测器性能的分析

红外光子探测器器件性能受背景限制,采用冷屏蔽以减小视场,可以降低背景,显著提高其探测率D_λ~*。 一、基本公式 现取消无限吸收的假设,考虑前、后表面的反射率和表面复合速度,以热噪声和产生-复合噪声为主要噪声,导出光导器件探测率的更为严格的表达式:     

8—14μm多通道HgCdTe光导探测器

利用线性渐变滤光器与线列多元ＨｇＣｄＴｅ光导探测器组合，研制出８－１４μｍ长波多通道ＨｇＣｄＴｅ光导探测器，探测器光谱分辨率接近０．２μｍ。文中给出了多通道探测器光谱响应曲线，分析了多通道探测器的设计特性。     

多元多色HgCdTe红外探测器

简要介绍利用不同波段的微型滤光片和不同响应波段的多元ＨｇＣｄＴｅ红外探测器,叙述了通过精密镶嵌技术组合而成的四波段２１５～２２５μｍ、８４～８９μｍ、１０３～１１３μｍ和１１５～１２５μｍ８８元多元多色探测器的设计原理和特性,以及多元多色探测器的组合工艺,并给出了各个通道的响应光谱特性和探测器的工作性能。研制成功的８８元多色红外探测器每个通道的平均探测率和响应率分别为：Ｄ２．１５～２．２５＝１．２×１０１２ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ２．１５～２．２５＝５．０×１０６Ｖ／Ｗ,Ｄ８．４～８．９＝７．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ８．４～８．９＝１．６×１０４Ｖ／Ｗ,Ｄ１０．３～１１．３＝４．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１０．３～１１．３＝４．３×１０３Ｖ／Ｗ,Ｄ１１．５～１２．５＝３．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２／Ｗ和Ｒ１１．５～１２．５＝３．３×１０３Ｖ／Ｗ,文中对这些结果进行了分析和讨论。     

电流冲击对长波光导MCT探测器的影响

对长波光导MCT红外探测器进行了大电流长时间的冲击,对比了冲击前后探测器的电阻温度特性,并用该参数研究了器件的电学参数;测量了冲击前后探测器的黑体性能变化、响应光谱以及少子寿命.实验结果显示:短时间(42mA,70h)的电流冲击对探测器性能影响不大,探测器组分减小,截止波长变长;冲击时间长到(42mA,100h)一定程度后,探测器性能有不同程度的下降,组分变大,截止波长变短.这是因为电流产生的热效应加强了Hg扩散效应,从而使器件截止波长发生变化.     

长波光导HgCdTe红外探测器的可靠性

从真空热浸和电流冲击两个方面对碲镉汞红外探测器进行了研究.真空热浸在星载红外探测器中是十分重要的一项试验,通过研究得到大面积甚长波探测器芯片的耐真空热浸温度为85℃、95℃下39 h的热浸会降低探测器的性能;在电流冲击的实验中,得出低温下探测器芯片耐冲击能力低于室温下的探测器芯片,低温下40 mA的脉冲电流会降低其性能,而室温下相应的脉冲电流为70mA.粘接胶的热导率和厚度是影响耐冲击能力的主要因素.     

光学浸没型双色HgCdTe光导探测器

本文利用光学浸没原理以及叠层双色探测器工作原理,研制出浸没型3μm～5μm,8μm～12μm双色HgCdTe光导探测器.3μm～5μm探测器峰值探测率可达10~(11)cmHz~(1/2)/W;8μm～14μm探测器峰值探测率达7.0×10~(10)cmHz~(1/2)W.峰值响应率可达10~3V/W.     

航空遥感用碲镉汞光导探测器的研究

介绍几种航空遥感用碲镉汞光导红外探测器的基本设计原理、结构及性能.