薄膜型锑化铟霍尔元件芯片测试系统的设计与实现

针对薄膜型锑化铟霍尔元件芯片性能测试,设计了一套霍尔元件芯片测试系统.系统主要由手动探针台、显微镜、探针卡、外加磁场、PLC以及测试软件组成,可以进行霍尔元件芯片的输入和输出电阻、不平衡电压以及霍尔电压的测试.测试系统稳定性好,重复度高,测试误差较小.手动探针台操作简单,测试方便,灵活性强,可分别测试4英寸硅片和3英寸...     

温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响

锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域.InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能.采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比.采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃.同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象.这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴.