排序方式: 共有17条查询结果,搜索用时 390 毫秒
1.
芯片异构集成的节距不断缩小至10 μm及以下,焊料外扩、桥联成为焊料微凸点互连工艺的主要技术问题.通过对微凸点节距为8 μm的Cu/Sn固液扩散键合的工艺研究,探索精细节距焊料微凸点互连工艺存在的问题,分析Cu/Sn微凸点键合界面金属间的化合物,实现了精细节距和高质量的Cu/Sn微凸点互连,获得了节距为8 μm、微凸点... 相似文献
2.
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017 cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现. 相似文献
3.
4.
5.
6.
7.
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT.器件表现出了良好的直流和高频特性,最大电流增益β为214.BVCEO为9V,集电极掺杂浓度为1×1017 cm-3,厚度为400nm时,BVCBO为16V.在直流偏置下IC=30mA,VCE=3.0V得到fT和fmax分别为18.0GHz和19.3GHz,1GHz下最大稳定增益为24.5dB,单端功率增益为26.6dB.器件采用了新颖的分单元结构,在大电流下没有明显的增益塌陷现象和热效应出现. 相似文献
8.
高频大功率HBT作为无线和射频通信PA中的重要器件,其设计和制作也越来越受到关注.高频大功率SiGe HBT的设计目的是在一定的工作频率下维持一个高的击穿电压和大的电流密度以实现大的输出功率.器件的设计参数需要进行折中优化.文中模拟计算了两个单元叉指结构的SiGe HBT的高频特性和在5GHz工作频率下的功率特性与发射区掺杂浓度、厚度、基区Ge组分大小以及收集区的掺杂特性等参数之间的关系,并对模拟结果进行了分析和探讨.给出了一些具有指导意义的结论,为高频大功率HBT的设计提供了很好的参考. 相似文献
9.
10.
针对传统的神经网络未能对时频域的相关性充分利用的问题,提出了一种利用深度全卷积编解码神经网络的单通道语音增强方法。在编码端,通过卷积层的卷积操作对带噪语音的时频表示逐级提取特征,在得到目标语音高级特征表示的同时逐层抑制背景噪声。解码端和编码端在结构上对称,在解码端,对编码端获得的高级特征表示进行反卷积、上采样操作,逐层恢复目标语音。跳跃连接可以很好地解决极深网络中训练时存在的梯度弥散问题,本文在编解码端的对应层之间引入跳跃连接,将编码端特征图信息传递到对应的解码端,有利于更好地恢复目标语音的细节特征。 对特征融合和特征拼接两种跳跃连接方式、基于L1和 L2两种训练损失函数对语音增强性能的影响进行了研究,通过实验验证所提方法的有效性。 相似文献