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采用脉冲激光沉积技术在SrTiO3,(001)单晶衬底上制备出钙钛矿结构La0.67 Sr0.33 MnO3,(LSMO)外延薄膜,通过X射线衍射仪和原子力显微镜表征其晶体取向与表面形貌,并对Ag-LSMO结构的室温电脉冲诱发可逆变阻效应进行研究.结果表明,在±4V、50ns对称脉冲作用下,LSMO膜层电阻发生高低转变,且变阻范围随脉冲幅值电压、脉冲宽度、脉冲数日等参数的变化而变化.该效应表现出良好的疲劳特性与非挥发存储特性,有望应用于新型不挥发存储器、传感器、可变电阻等电子元器件的研制. 相似文献
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通过高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃和硅上淀积了结构为Ta/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/IrMn/Ta的IrMn顶钉扎自旋阀薄膜。通过结构的改善和工艺条件的优化,自旋阀的磁电阻率达到9.12%,矫顽力为1.04×(10~3/4π)A/m。研究了Ta缓冲层厚度(小于6nm)对晶格结构和自旋阀性能的影响。结果表明,Ta为3nm时自旋阀磁电阻率最大,而矫顽力随着Ta厚度增大而减小。利用CoFe/Cu/CoFe SAF结构替换掉与IrMn相邻的CoFe被钉扎层,使交换偏置场从原来没有SAF的180×(10~3/4π)A/m上升到600×(10~3/4π)A/m左右,且交换偏置场随着SAF结构中两层CoFe的厚度差减小而增大。研究了RIE对自旋阀性能的影响,发现2min的RIE能使矫顽力减小33%,而磁电阻率几乎不受影响。 相似文献
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对巨磁电阻自旋阀磁场传感器制作中的关键技术之一:自旋阀薄膜的反应离子刻蚀(RIE)工艺,进行了试验研究。自旋阀结构为:Ta(3.5nm)/Cu(0.7nm)/NiFe(4.5nm)/CoFe(1nm)/Cu(3nm)/CoFe(2nm)/Ru(0.7nm)/CoFe(2nm)/MnIr(8nm)/Ta(4nm),刻蚀气体为氢氯碳氟化合物(HCFC:Hydro—chloro—fluoro—carbon),气体流量为10.5seem,RF功率为180W,时间为27min。结果表明:RIE技术可以加工出理想的巨磁电阻自旋阀薄膜图形,且加工过程对自旋阀的磁性能影响不大,这些结果对于巨磁电阻自旋阀型集成磁传感器的批量制作具有积极意义。 相似文献
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系统论述了钙钛矿结构氧化物电脉冲诱发可逆变阻效应的非挥发存储机理,对三种物理模型:体效应模型、界面效应模型和导电畴隧穿模型进行了详细讨论,并提出了可逆变阻效应的实用化所面临的关键问题及其发展方向。 相似文献
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采用高真空直流磁控溅射的方法,在玻璃衬底上制备了结构为Ta/buffer layer/IrMn/CoFe/Cu/CoFe/NiFe/Ta的IrMn底钉扎自旋阀。研究了NiFe和Cu作为缓冲层对自旋阀磁性能的影响,并对缓冲层厚度进行了参数优化,当缓冲层厚度为2nm时自旋阀各项性能达到最佳。研究了退火制度对底钉扎自旋阀性能的影响,得到了30000e强磁场下200℃保温1h为最佳处理条件。通过结构的改善和工艺的优化,得到的底钉扎自旋阀的磁电阻率8.51%,矫顽场为0.50e,交换偏置场超过8000e。最后对自旋阀的底钉扎和顶钉扎结构进行了比较。 相似文献
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利用磁控溅射法,制备了一种上钉扎的标准自旋阀结构Ta(6nm)/Ni81Fe19/Co90Fe10(1nm)/Cu(1.8nm)/Co90Fe10(3.5nm)/Ir20Mn80(8nm)/Ta(6nm),并研究了自旋阀结构中Ni81Fe19层厚度对自旋阀巨磁电阻变化率的影响,发现巨磁电阻变化率对于Ni81Fe19层厚度具有强烈的依赖性.当Ni81Fe19层厚度位于2~6nm和7~12nm两个范围时,巨磁电阻变化率分别维持在较高(约8.34%)和较低(约3.34%)的两个水平,而当Ni81Fe19层厚度从6nm增加到7nm时,巨磁电阻变化率急剧降低,达5%.由此可见,为了得到高磁阻变化率,此类自旋阀结构中的Ni81Fe19层厚度不能超过6nm. 相似文献
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