基于TIA/EIA-899标准的TYPE-Ⅰ型M-LVDS接收器设计

提出了一种基于TIA/EIA-899标准的TYPE-Ⅰ型M-LVDS接收芯片的实现方案,设计了一种新颖的共模搬移电路在实现超越电源电压轨的共模输入范围的同时简化了后级电路设计,节约了面积和功耗,电路中预放大器将输入信号放大一定倍数,迟滞比较器为系统引入迟滞效果.芯片采用GSMC0.18 μm 1P6M CMOS工艺流片验证.测试结果表明,该芯片共模输入范围为-1.4V～3.8V,信号传输速率大于250 Mbps,具有典型值为28 mV的迟滞效果.     

用根尖微核测定技术测定硫酸铜的毒性

用根尖微核测定技术检测了不同硫酸铜浓度对幼苗芽长、根长和根尖微核率的影响。实验结果表明:硫酸铜对蚕豆、玉米的根和芽的生长有显著抑制作用,25mg/L~150mg/L浓度范围内,微核率明显增加,铜对植物生长有明显毒性作用。     

一种转换时间可范围控制的MLVDS驱动器

为实现多芯片间的高速数据传输,设计了一款应用于多点总线系统的多点低压差分信号（Multi-point Low Voltage Differential Signaling,MLVDS）驱动器,其转换时间可被控制在一定范围内。该驱动器主电路采用互补桥式开关管结构将TTL信号转换成CMOS差分电压信号。这种结构能削弱衬底偏置效应所带来的输出波形失真。预驱动电路采用对电容恒流充放电电路结构改变信号的压摆率。在输出级通过添加两个泄流二极管来平衡信号的过冲,从而保证了信号的完整性。芯片采用GSMC 0.18 μm1P4M的CMOS工艺实现,测试结果表明工作频率为125 MHz时输出信号幅值为550 mV,上升时间为1.190 ns,下降时间为1.159 ns,满足TIA/EIA-899协议的要求。     

基于TIA/EIA-899标准的TYPE-I型M-LVDS接收器设计

提出了一种基于TIA/EIA-899标准的TYPE-I型M-LVDS接收芯片的实现方案,设计了一种新颖的共模搬移电路在实现超越电源电压轨的共模输入范围的同时简化了后级电路设计,节约了面积和功耗,电路中预放大器将输入信号放大一定倍数,迟滞比较器为系统引入迟滞效果。芯片采用GSMC0.18μm 1P6M CMOS工艺流片验证。测试结果表明,该芯片共模输入范围为-1.4V~3.8V,信号传输速率大于250 Mbps,具有典型值为28mV的迟滞效果。