FoxBASE~+的动态清屏

用FoxBASE~+编制的软件,都要多次使用清屏命令清屏。通常使用CLEAR命令,瞬间便将屏幕上的内容清除干净。如在这些软件中,适当地使用一些带有艺术效果(类似于电视画面转换)的动态清屏方式,可为用户使用时增添一定程度的艺术享受。 (1)用画方框命令@<行坐标1,列坐标1>,<行坐标2,列坐标2>BOX<字符串表达式>清屏。在该命令中,取<字符串表达式>为空格,并让命令中的两个行(或列)坐标相同,便可清除屏幕内的一块区域。因此,在命令中取行(或列)坐标为同一内存变量并施以合     

GaAs／AlAs DBR的GSMBE优化生长及表征

采用气态源分子束外延（GSMBE）技术优化生长了GaAs／AlAs分布布拉格反射镜（DBR）材料，并用X射线衍射（XRD）及反射光谱对其生长质量进行了表征。结果表明，采用5S间断生长的GaAs／AlAs DBR材料质量和界面质量优于无间断生长，并且10对GaAs／AlAs DBR的质量优于30对，说明DBR对数越多，周期厚度波动越大，材料质量越差。优化生长得到的30对GaAs／AlAsDBR的反射率大于99％，中心波长为1316nm，与理论设计结构的模拟结果基本一致，可用作1．3μm垂直腔面发射激光器（VVSEL）直接键合的反射腔镜。     

溅射法制备n型碲化镉薄膜的光电化学特性研究

采用溅射法制备了n型碲化镉薄膜。研究了不同沉积时间制备的n型碲化镉薄膜的形貌、结构和光学性质,以及薄膜厚度和退火工艺对n型碲化镉薄膜光电化学特性的影响。实验结果表明,溅射时间为25 min的碲化镉薄膜具有较好的PEC性能。退火工艺可以提高沉积的n型碲化镉薄膜的光电化学性能。当用饱和氯化镉溶液涂覆碲化镉薄膜并在真空中400 ℃退火时,n型碲化镉薄膜的光电化学性能最佳,光电流达到301 μA/cm²。     

基于八方向Sobel算子的边缘检测算法

针对传统图像边缘检测方法检测效果不理想的问题,提出一种基于八方向Sobel算子的边缘检测算法。采用0°、22.5°、45°、67.5°、90°、112.5°、135°、157.5° 8个方向的模板进行检测,能较好地检测出不同方向的边缘。在检测过程中,考虑到邻域内像素到中心像素距离不同,对中心像素的贡献不同,算法 根据该像素到中心像素欧氏距离对邻域内像素进行加权,使得距中心像素越近,其权值越大。实验表明,算法检测出的图像边缘较为完整,轮廓线清晰且连续性较好。     

高压氧治疗皮质下缺血性血管性疾病患者步态障碍的临床观察

目的:观察高压氧治疗皮质下缺血性血管性疾病患者的步态障碍疗效.方法:对36例患者高压氧治疗前后进行平衡功能评定及步态分析,平衡功能评定采用Berg量表,步态分析采用足印法收集步态资料,主要测量每位患者的步幅、步速.结果:皮质下缺血性血管性疾病患者与对照组比较存在平衡功能的下降,经过高压氧治疗后平衡功能、步幅、步速有明显改善,差异有统计学意义.结论:高压氧治疗对改善皮质下缺血性血管性疾病患者的步态障碍有一定的疗效.     

加权Voronoi图画法的研究

1 引言随着计算机理论与应用研究的深入发展,尤其是计算机在图形图像处理方面的广泛应用,对计算几何理论与应用的研究,越来越受到重视并日益蓬勃开展起来。计算几何研究的是,如何高效处理通过视觉器官等途径获取的几何信息,从理论上探讨几何计算的可行性与复杂性,开发高速处理几何信息的方法,并对其性能做出评价。计算几何在计算机辅助设计、计算机图     

一种基于块纹理特性的H.264/AVC帧内预测算法

H.264/AVC视频编码在空域上从多个方向进行多种模式的帧内预测,并使用率失真优化(RDO)算法选择最佳模式,使其算法复杂度很高,无法满足实时视频的需求.为此,提出一种快速预测算法,利用宏块在一定方向上的像素差分和对宏块是否有明显纹理及纹理方向进行有效预判,并根据预判结果对块类型和预测模式进行选择,避免对各块进行所有模式的计算,从而有效地降低了复杂度.实验结果表明本算法在峰值信噪比(PSNR)和码率变化极小的情况下,编码速度有显著提高.     

在英语教学中运用主动思维训练法初探

主动思维训练法是指在学校课堂教学的过程中,发扬教学相长,突出学生的主体作用.是针对传统教学和应试教育造成学生思维惰性提出的,其目的在于通过增强学生自我意识,通过求知实践培养学生的自主人格和发展学生的创造性思维.     

金属键合技术及其在光电器件中的应用

系统阐述了金属键合的发展概况、基本工艺和方法、表征技术及其在光电器件中的应用.金属键合制备光电器件的一般工艺流程分为三步:蒸镀金属薄膜、键合、腐蚀去除衬底,列举了常用的金属键合方法及其工艺条件;并着重论述了该技术在光电器件特别是垂直腔面发射激光器(VCSEL)器件结构制作中的应用.金属键合可以实现衬底倒扣和改善器件热学性能,而对器件原有的光学性质影响不大.     

掩埋隧道结在长波长VCSEL结构中的应用

采用气态源分子束外延技术在InP(100)衬底上分别生长了δ掺杂的p -AlIn-As-n -InP和p -InP-n -InP两种隧道结结构,用电化学C-V和I-V特性曲线表征了载流子浓度和电学特性,发现p -AlInAs-n -InP隧道结性能优于p -InP-n -InP隧道结.在InP(100)衬底上生长了包含p -AlInAs-n -InP掩埋隧道结和多量子阱有源层的1.3μm垂直腔面发射激光器(VCSEL)结构,测试得出其开启电压比普通的pin结VCSEL小,室温下其电致发光谱波长为1.29μm.