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氮化镓是制造蓝光或紫外光器件以及大功率器件最有发展前途的半导体材料之一.浅杂质(包括P型和n型的)离子注入GaN是研究 GaN的主要课题之一.本文研究注碳(C) GaN经不同温度退火后的Raman和 Hall效应,发现两个重要的实验事实:在适当的温度范围内,在注 C GaN中存在石墨微晶; GaN中分离的C是受主. 文中所用样品的制作过程是在(0001)晶向的蓝宝石衬底上用金属有机汽相沉积(MOCVD)技术生长的1um GaN外延层,外延层的自由电子浓度和霍尔迁移率分别为 1~5×1017cm-3和 60… 相似文献
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1985年Kroto等人在由激光烧蚀石墨产生的分子簇中发现了由60个碳原子组成的碳分子,它具有足球状的空笼结构,被命名为fullerene富勒碳一60),随后又发现空笼内含有金属原子(离子)的富勒碳(M@C。0)及含更多碳原子的高富勒碳分子,它们具有共轭的。电子及量子点特性,理论上预期它有很大的非线性系数,因而受到广泛的重视与研究,但内含稀土原子的富勒碳样品制备不易,至今研究不多.本文重点报导内含oy及Nd的富勒碳82(Dy@C82,Nd@C82)的三阶非线性光学特性研究.Dy@C82及Nd@C… 相似文献
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介绍了锰硅合金炉(干)渣的综合处理.为了实现"吃干榨净"目标,通过调整炉料结构、降低炉渣碱度及锰硅合金/高碳锰铁适时互转等技术措施,找到了解决延长炉衬寿命、减少富锰渣采购量的办法,从而极大地提高了元素回收率. 相似文献
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我们用高灵敏的肖特基结注入电流检测磁共振方法对蓝宝石上外延硅膜进行了研究。实验观察到一种向同性非结称的磁共振谱,经拟合它由线宽10^-^3T,g值分别为2.0055及2.012的二线组合而成,二线强度比3.7:1。前是硅悬挂键,后为非晶硅价态态共振。实验证该磁共振信号来自于Si/Al2O3界面。 相似文献
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传统的深能级电容瞬态谱(DLTS)是典型的微弱信号技术,它具有极高的灵敏度,能测量比基体原子浓度小9~10个数量级的深能级杂质和缺陷.然而对于宽禁带半导体(如固体C60(C70),GaN等)深能级的测量,这种测量方法将面临高温测量的困难.本文提出的电容瞬态时间乘积谱(ICTTS),可以在室温附近测量很深的深能级,并达到和传统DLTS相近的灵敏度.文中用这一方法研究了Ti/C70固体/p-GaAs结构的深能级,结果发现C70固体膜中存在两个空穴陷阱,H1和H2,它们的能级分别为Ev+1.037eV和Ev+0.856eV,密度分别为8.6×1011/cm2和6.5×1010/cm2. 相似文献
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