电容式压力传感器微电容测量集成电路的研制

采用开关电容技术的Boxcar(时域平均)积分原理设计,为测量电容式压力传感器的微电容的接口电路已提出。它由Boxcar积分器,锁存器,脉冲宽度调制器和控制信号电路组成。该接口电路,采用3μm P-阱CMOS双层多晶硅栅工艺研制,管芯面积为2.5mm×3.5mm.测试结果表明,接口电路具有较好的灵敏度,它能将硅集成电容式压力(加速度)传感器集成在同一芯片上,实现一体化。     

多晶硅微机械薄膜形成技术

介绍了多晶硅微机械薄膜的制备工艺,叙述了它的基本结构和工艺的研究,并给出了试验结果。     

电路开关速度与输入偏置方式无关的二输入端与非门电路的设计

前言 为了制造高超CMOS逻辑IC,引进微细加工技术、等平面全离子注入技术及减薄氧化膜厚度等变更工艺参数,固然是十必要的。但在电路上下功夫,选择更适合高速的电路形式也是相当重要的。本报告讨论了常规的二输入端与非门电路的两个输入端的开关特性受输入偏置方式的影响而有明显差异的问题,分析了造成差异     

微型低压传感器的研究

本文叙述了使用硅集成电路工艺技术制作的电容式压力传感器.以常规LPCVD技术淀积的多品硅、经腐蚀掏空多晶硅层与硅衬底之间的中间氧化层形成空隙,随后将具有可变形的多品硅隔膜封成真空腔.该腔随外界压力改变引起多晶硅膜变形,用测量隔膜与硅衬底电极之间电容的变化来测量压力的变化。介绍了微型低压传感器的设计、制造工艺和测试结果.     

提高VDMOS/npn复合结构击穿特性的平面技术

本文报道了通过衬底材料选取,图形选择、场限制环的设置,场板极的选用,提高VDMOS和VDMOS/npn复合结构击穿电压的方法,获得使VDMOS的击穿电压达到450V,VDMOS/npn复合结构的击穿电压为330V的平面技术.     

硅栅CMOSIC微电子测试图形

一 前言: 随着集成电路向大规模、高速化、微细化方向的发展,对生产工艺的监控、检测也日益显得重要了。硅栅CMOS集成电路的工序较多,任何一个环节出了差错,都会直接影响到芯片的合格率和电路的性能。生产部门为了弄清一个问题,常常要逐道工序检查,而且很难得到定量的结论,既浪费时间,又影响生产。微电子监控,     

基于格子玻尔兹曼方法的涡量修正高效烟雾仿真算法

基于流体动力学模型的烟雾仿真研究是计算机图形学和计算机仿真领域的重要分支。本文提出通过追踪涡量的大小和方向并添加涡量修正力进行涡量补偿的格子玻尔兹曼算法实现烟雾的高效真实仿真。算法从纳维-斯托克斯方程以及亥姆霍兹方程出发分别对烟雾仿真过程中涡量的大小和方向进行追踪，并利用追踪到的涡量信息和对应时刻的速度场信息添加涡量修正力进行涡量补偿和烟雾细节的补充，保证烟雾仿真符合物理规律并提升仿真的真实度。这一烟雾仿真算法基于格子玻尔兹曼方法实现，对动量分布函数，涡量分布函数以及温度分布函数进行离散化，通过三个分布函数和涡量方向场的迭代更新实现烟雾仿真。与格子玻尔兹曼方法相同，该烟雾仿真算法通过分布函数项在格点之间的迁移仿真流体的流动过程，通过添加碰撞项和外力项仿真流体粒子之间的相互作用以及流体粒子受外力作用。烟雾仿真实验结果证明涡量修正格子玻尔兹曼算法可以高效的生成高真实度的仿真图像。该算法在单GPU加速的条件下在分辨率为64×64×128的网格上可以达到实时仿真的仿真效率。      

微型多晶硅膜电容式 压力传感器的研制

目前使用较为广泛的扩散硅压阻式压力传感器,是利用半导体硅的电阻率随应力变化的性质而制成的.由于电阻器间的PN结隔离,使这种传感器温度稳定性较差,应用时     

MOS/双极高压复合结构中可控硅效应的抑制

本文研究和分析具有偏置栅又有延伸源场板的MOS和双极型高压复合结构中产生可控硅效应的机理,提出如何从材料、几何结构和工艺参数方面采取措施抑制和防止可控硅效应的产生.