化学吞吐工艺在孤东油田四区西部稠油块的应用

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太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析

本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子器件应用前景。     

注水开发后期提高油砂体采收率方法探讨

注水开发后期，研究油砂体剩余油分布规律，实施油砂体综合治理，完善油砂体注采关系是提高最终采收率的重要途径之一。按照含油面积、采出程度及生产动态特点将油砂体分为3类。根据每类砂体的不同特点，采取相应的治理措施，取得了较好效果，累积增油18．5kt，增加水驱储量1．08Mt。注水开发后期提高油砂体采收率必须以剩余油的分析研究为指导，以井网对剩余可采储量的控制为前提，以油水井措施的联动为手段，从而达到提高最终采收率的目的。     

深化采油现场质量管理

采油现场是指具有一定开发规模和生产能力的油藏,以及油水井配套工艺设备和管理岗位构成的复杂系统。采油现场的质量管理是一项效益工程,反映管理效益的是质量管理,质量管理水平的提高,最终体现在经济运行质量和经济效益的提高上。深化采油现场的质量管理就是要完善和落实岗位质量责任,强化过程质量监督,分项目地建立群众性的管理组织,开展QC小组活动,建立质量体系,以提高质量管理水平和经济效益。     

太赫兹真空电子器件用场发射阴极技术分析

本文阐述了太赫兹真空电子器件对阴极电子源的需求条件,分析了在该器件中应用场发射阴极的可能性。介绍 了当前两种主要场发射阴极,即金属薄膜场发射阴极和碳纳米管场发射阴极的国内外发展情况,指出了它们各自的优势 以及实际应用中存在的障碍,并提出了相应的解决途径。试验和分析结果表明,场发射阴极具有很好的太赫兹真空电子 器件应用前景。     

同轴双栅极SPINDT阴极的模拟与分析

描述了双栅极场致发射阴极的电子束聚焦问题.通过IESLORENTZ-2D 对单栅极单个SPINDT微尖的模拟,表明模拟与实验数据符合得很好.对带有同轴聚焦电极的单个SPINDT微尖也进行了模拟,并且分析了影响电子束聚焦的各种几何和电参数.结果表明,为了满足设计标准,应当同时考虑聚焦效果和发射特性.     

敷ZrC的Mo Spindt阵列阴极的发射性能

对Spin＆阵列阴极表面涂敷ZrC薄膜后的发射性能进行了研究。本实验采用原位沉积的方法实现ZrC薄膜的涂敷，所谓原位沉积就是在沉积完Mo尖锥后，立刻沉积ZrC薄膜，其中，ZrC厚度为5～10nm。涂敷ZrC薄膜后的Spindt阵列阴极（ZrC FEA）在相同条件下与Mo阵列相比呈现出良好的发射性能，如相同栅极电压下的发射电流密度升高，开启电压降低。为清洁和光滑发射体表面，本实验在测试前对ZrC FEA进行了场解吸附处理，并比较了ZrC FEA在处理前后发射性能的变化。     

场发射X射线管电子光学系统的设计和研究

设计了一种基于场发射阵列阴极的X射线管结构。制备了金属尖锥阵列场发射阴极,结果表明该阴极具有良好的电子发射能力和稳定性,在阳极电压为3400 V的条件下,发射电流达1.46 mA,电流密度达516.4 mA/cm~2,适合应用于X射线管中。利用CST粒子工作室仿真软件对X射线管的电子光学系统进行计算,得到了可行的结构方案,结构由阵列阴极、聚焦极和阳极组成,阴极与聚焦极等电位,该结构中阴极面积为10 mm×2 mm,总发射电流约为10 mA,满足X射线管的发射要求。阳极电子束斑大小为1 mm×1 mm,可得到有效焦点大小为0.58 mm×1 mm的X射线。研究为进一步制造高分辨率的场发射X射线管打下了基础。     

Spindt阴极金属颗粒粘附失效分析

Spindt型场发射阴极,在初期老炼过程中容易失效,其表现为发射尖锥和栅极间短路、漏电,或是真空电弧损伤。引起Spindt阴极失效的一个主要原因,分析认为是存在于发射尖锥表面、栅极边缘以及承载尖锥的二氧化硅空腔中的金属颗粒附着。这些金属颗粒,产生于双向沉积制作发射尖锥过程中,它们在牺牲层剥离时脱落,并且没有在随后的纯水清洗过程中得到有效去除。这些金属颗粒的存在,即便没有导致初期阴极失效,也可能成为阴极大电流应用,如微波真空功率器件应用的潜在障碍。研究中提出了在常规清洗工艺中引入超声波清洗和兆声波清洗,初步试验研究表明,振动频率28 k Hz的超声波清洗,容易造成阴极损伤,并且对微小颗粒的去除效果不好,而频率1 MHz的兆声波清洗,则可近似无损地将阴极失效率大幅降低。     

一种新型可重复利用荫罩掩膜技术

利用化学气相沉积、光刻和反应离子刻蚀等微细加工技术,可以制作柔性、低成本、结实耐用、生物科技和半导体技术兼容、可重复使用的聚对二甲苯-C荫罩掩膜。利用这种透明的惰性材料掩膜,可以制作出传统平面微加工技术难以实现的曲面微图形,同时在多次使用场合,可以实现其它柔性荫罩掩膜材料难以达到的微米级特征尺寸,并能保持很好的图形复制特性。