SoC嵌入式flash存储器的内建自测试设计

深亚微米技术背景下，嵌入式存储器在片上系统芯片(system-on-a-chip，SoC)中占有越来越多的芯片面积．嵌入式存储器的测试正面临诸多新的挑战。本文论述了两种适合SoC芯片中嵌入式flash存储器的内建自测试设计方案。详细讨论了专用硬件方式内建自测试的设计及其实现，并且提出了一种新型的软硬协同方式的内建自测试设计。这种新型的测试方案目标在于结合专用硬件方式内建自测试方案并有效利用SoC芯片上现有的资源，以保证满足测试过程中的功耗限制，同时在测试时间和芯片面积占用及性能之间寻求平衡。最后对两种方案的优缺点进行了分析对比。     

一种电容式Al2O3湿度传感器

在单晶Si片上热生长一层SiO2薄膜，采用真空淀积的方法制备一层Al薄膜，然后利用铝阳极氧化的方法获得一层多孔Al2O3薄膜。设计制作了电容式Al2O3湿度传感器，测试结果表明，该器件具有较好的感湿特性和较宽的感湿范围。     

多孔Al_2O_3薄膜的研制

在单晶Si片上热生长一层SiO2薄膜,再利用真空淀积的方法制备一层Al薄膜,然后通过铝阳极氧化的方法获得一层多孔Al2O3薄膜。利用JSM 35C扫描电子显微镜观测了该Al2O3薄膜的形貌。通过对Al2O3薄膜电阻与相对湿度关系的测试,发现其具有较好的感湿特性和较宽的感湿范围。