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天津市水利局引滦工程尔王庄管理处所辖上游输水明渠设计水深3m,底宽22m,左右坡度1/3,纵坡度1/20000.设计流量50m^3/s。尔王庄明渠泵站是通过明渠向大张庄泵站输水为海河补水的泵站,暗渠泵站发生故障时,明渠泵站抽水与大张庄泵站联合运用向暗渠输水。明渠泵站旁设有自流道.总长210.79m.2孔3.5m×3m.设计流量12m^3/s,校核流量20m^3/s。 相似文献
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为了得到高性能的GaN基发光器件,有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了InGaN量子点,并通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究.AFM和TEM观察结果表明:InGaN/GaN为平均直径约30nm,高度约25nm的圆锥;InGaN量子点主要集中在圆锥形的顶部,其密度达到5.6×1010cm-2.室温下,InGaN量子点材料PL谱强度大大超出相同生长时间的InGaN薄膜材料,这说明InGaN量子点有望作为高性能有源层材料应用于GaN基发光器件. 相似文献
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天津市引滦信息系统的建设是引滦入津水源保护工程中的一个重要组成部分.宜兴埠管理处作为引滦信息系统的分中心,如何确保该系统工程切实发挥最大效益至关重要. 相似文献
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表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质 总被引:2,自引:0,他引:2
为了得到高性能的 Ga N基发光器件 ,有源层采用 MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了 In-Ga N量子点 ,并通过原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和光致发光 (PL )谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究 .AFM和 TEM观察结果表明 :In Ga N/ Ga N为平均直径约 30 nm,高度约 2 5 nm的圆锥 ;In Ga N量子点主要集中在圆锥形的顶部 ,其密度达到 5 .6× 10 1 0 cm- 2 .室温下 ,In Ga N量子点材料 PL谱强度大大超出相同生长时间的 In Ga N薄膜材料 ,这说明 In Ga N量子点有望作为高性能有源层材料应用于 Ga N基发光器件 . 相似文献
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