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为了证明无Al激光器在可靠性方面优于有Al激光器,对InGaAsP/GaAs无Al和AlGaInAs/AlGaAs/GaAs有Al的808nm大功率半导体激光器进行了常温下电流步进加速老化寿命试验,介绍了半导体激光器寿命试验的理论依据,给出寿命试验的数学模型,据此得到了器件在常温电流步进条件下的寿命,利用最小二乘法拟和得到加速老化的加速方程,从而推算出激光器的特征寿命,分析了有Al激光器和无Al激光器寿命对比结果,提出了材料中含Al对器件可靠性的一些不良影响,无Al激光器可靠性明显优于有Al激光器. 相似文献
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高纯度的三氟化氮是微电子工业中一种优良的等离子蚀刻气体,是半导体与LCD产业制造过程中必备的材料。针对NF3气体中CF4杂质采用常规方法难以分离的特点,提出一种新的纯化工艺——低温萃取精馏纯化法,对低温萃取精馏生产高纯NF3过程的工艺流程进行了研究,并采用AspenPlus在广泛操作条件下对精馏过程进行了精馏模拟计算。通过工艺试验,找到适合于本物系的精馏运行参数,优化了生产流程,稳定了工艺系统运行,三氟化氮纯度达到了99.999%以上,产品中的CF4杂质含量低于10×10^-6(V/V)。 相似文献
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采用Fenton试剂氧化阿奇霉素废水,以活性污泥的好氧呼吸速率(OUR)为指标。通过正交实验对Fenton试剂氧化的几种影响因素进行了分析,得出了影响因素的次序:初始pH值〉反应时间〉H2O2的投加量〉双氧水与Fe^2+的物质的量比;反应初始pH值为7.0、反应时间为60min、H2O2的投加量为2.4mmol/L、双氧水与Fe^2+的物质的量比为5:1时,OUR值能够从0提高到0.55mg/(g·min),阿奇霉素废水的可生化性提高效果最佳,有利于后续的生物处理。 相似文献
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在平片蓝宝石衬底上,通过引入AlN缓冲层,优化成核层与粗糙层的生长条件,生长出了表面平整的GaN薄膜,晶体质量得到显著提升。通过引入AlN缓冲层,将X射线衍射(XRD)下样品(002)面的半高宽(FWHM)由232″降低至148″;通过减薄成核层厚度、提升粗糙层生长压力,将样品(102)面和(100)面的FWHM分别由243″和283″降低至169″和221″。研究了不同成核层和粗糙层的生长参数对GaN薄膜表面形貌的影响,随着(102)面和(100)面FWHM的降低,表面平整度亦得到改善,粗糙度由约3.8 nm下降到约1.6 nm。利用优化后的底层条件生长了高质量GaN薄膜,在3.5 A/mm^2电流密度下,与参考样品相比,制备出的LED样品的光输出功率由863 mW提升至942 mW,提升了约9%。 相似文献
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光纤接入的无源光网络发展推动了多网融合的进一步发展,在需求不断拓展的今天,EPON和GPON技术融合已经成为了目前通信技术发展的重要内容,二者各具优势可以在服务中进行互补,因此其融合的意义较为重大。一、光纤接入的无源光网络EPON和GPON融合的意义 相似文献
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使用三层平板波导理论分析了半导体量子阱激光器远场分布。针对大功率激光器讨论了极窄和模式扩展波导结构方法减小垂直方向远场发散角,得到了极窄波导结构量子阱激光器远场分布的简化模型,获得了垂直发散角的理论值,垂直方向远场发散角减小为28.6°;使用传输矩阵方法模拟了模式扩展波导结构量子阱激光器的近场光斑及远场分布,垂直方向远场发散角减小为16°。实验测试了极窄和模式扩展波导结构量子阱激光器的垂直发散角,理论结果与实验测试获得的发散角基本一致,实现了降低发散角的要求,获得了小发散角量子阱激光器。 相似文献
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在研究讨论式教学法的基础上,将讨论式教学法引入高校通信工程专业《MatLab与通信仿真》课程的教学中.教学实践证明,该方法可以激发学生学习兴趣,提高学习主动性,教学效果有一定的提高. 相似文献