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1.
通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线在高电压大电流下具有负阻特性,而负阻效应的存在可以有效地抑制器件的热不稳定性效应,从而在温度特性方面证明了SiGe HBT更适合于微波功率器件.  相似文献   
2.
通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT). 在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线在高电压大电流下具有负阻特性,而负阻效应的存在可以有效地抑制器件的热不稳定性效应,从而在温度特性方面证明了SiGe HBT更适合于微波功率器件.  相似文献   
3.
杨经伟 《四川建筑》2014,(4):227-228
手持GPS测量具有携带方便,定位迅速,不受天气和地形等因素的限制,可最大限度地为工程一般测量提供方便。文章以某工程为例,详细介绍了用手持GPS定位测量和取土场环评设计的步骤和方法,并对大地地图投影UTM坐标系下的测量和数据处理进行了初步的尝试。  相似文献   
4.
通过研究SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的温度特性,发现SiGe HBT的发射结正向电压随温度的变化率小于同质结Si双极型晶体管(BJT).在提高器件或电路热稳定性时,SiGe HBT可以使用比Si BJT更小的镇流电阻.同时SiGe HBT共发射级输出特性曲线在高电压大电流下具有负阻特性,而负阻效应的存在可以有效地抑制器件的热不稳定性效应,从而在温度特性方面证明了SiGe HBT更适合于微波功率器件.  相似文献   
5.
杨经伟 《四川建筑》2008,28(1):193-194
光面爆破与普通爆破相比,具有开挖面光滑平整,减少超欠挖,保持围岩的完整性等优点.文章结合本辽高速公路纱帽山隧道工程,介绍了Ⅲ级围岩中光面爆破的具体设计方法,并且在工程应用中取得了明显的效果,可为类似工程的施工提供借鉴作用.  相似文献   
6.
杨经伟 《四川建筑》2014,(4):231-232
物理掺和法改良填料,具有工艺简单,检测方便,施工周期与普通填料相同,节约成本等明显特点,文章结合某国外工程,运用本方法因地制宜,成功解决了前期施工两类料场的缺陷,并且在工程应用中起到了明显的效果。  相似文献   
7.
随着国民经济的发展,我国电力系统规模不断扩大。为了实现电网的安全经济运行,提高供电质量, 必须努力提高电网的自动化水平,而计算机的应用,使电网自动化技术得到了迅速发展,使电力系统许多  相似文献   
8.
利用自洽迭代数值计算方法,对多发射极微波功率SiGe HBT芯片热电耦合特性进行了模拟和分析。结果表明,通过对晶体管发射极条长、条间距的调整,可以有效地改善芯片温度分布的不均匀性,提高晶体管的热稳定性和功率处理能力。  相似文献   
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