一种多用途负阻器件——兰姆达二极管

兰姆达(lanbda,λ)二极管是具有双稳态开关特性的两端器件,可与其它器件一起容易地集成在同一芯片上,可望应用在保护、开关、振荡器及数字存储器电路里。负阻器件同单结晶体管与可控硅整流器一样,以前只限于在脉冲和开关电路里应用。然而,一个新的单块负阻器件——兰姆达二极管,在新的应用领域里,用途比较广,并且也简化了许多普通电路的设计。实际上兰姆达二极管是由一对互补耗尽型、结式场效应晶体管所组成的一个简单的两端器件。此二极管重要的特点是,它比普通的     

MOS集成电路分析程序

在大规模集成电路(LSI)设计中,电路模拟是很重要的,因为LSI电路,特别是MOS器件,不可能用分立元件来模拟。本文对于MOS器件提出一种新的算法,编了一套瞬态分析程序。这个程序(MICAP)只用于MOS电路,但是由于 MICAP 能够同时模拟许多 MOS 管,所以很适于 LSI 电路的模拟。例如,仅40KB的存储量就足够去分析含有500只MOS管的集成电路。     

2900系列4位位片微处理机

尽管2900系列的处理机电路不是第一个4位双极型位片系列,但也许是所有位片系列中最灵活的一种。此外,由于具有双极型-肖特基电路的速度,即每条指令执行时间为90～200ns,这些电路可组装成具有任何字长的计算机系统(图1)。AMD 公司研制的基本系列是由2901的4位算术与逻辑部件(ALU)及2909微程序序列器(图2)构成的。由于输入与 ALU 功能的组     

具有快速低工作周期脉冲振荡器

如图所示的自由振荡脉冲发生器,有几个特点,可作多种应用。该电路简单、对称并有一个50Ω输出阻抗,脉冲宽度为100ns,并且为互补输出,电路的输出幅值从地到电源电压。此外,它的功能是在小于1V到大于15V这样的一个电源范围里工作。它具有一个低电压、低温度漂移,而且消耗功率小。为了使振荡器产生振荡,每个晶体管的增益必须大于1。这就限制了R值应在1K到1MΩ这样一个范围里。当晶体管是处于饱和或者β值是低的时候(由于收集极电流小),增益仍然是低于1。这两个RC时间网络不需要匹配,因为具有长时间常数的RC将决定振荡器的     

磁心存储器读出线并组放大器

本文描述了以不同组数的读出线并组方式,对磁心读出放大器进行了设计。读出线并组放大器通过在不同机器上所做的实验数据表明,该技术是可行的。这种放大器的特点是以较少的元件为手段来提高放大器的可靠性。由于线性组件在工艺上难以避免的电参数误差而使放大器产生失调,因此采用了组件外引线的方法,把工艺上难度大的元件引到组件外面,以备对放大器灵活地进行匹配与调整,从而达到提高组件的成品率之目的。