D类功放中积分器的设计

本文基于N阱0.5um DPTM CMOS工艺,完成了D类音频功放中积分器的设计.文章首先分析基于PWM调制D类功放中积分器的基本原理,然后着重介绍积分器中全差分运放的设计.在candence下的电路仿真表明,该运放的性能指标可以满足系统对积分器的要求.     

THD改善的D类音频功放

提出了一种双环反馈拓扑结构的D类音频功放.通过对基于脉冲宽度调制的D类功放反馈系统的分析,指出环路参数对总谐波失真THD和电源抑制比PSRR等性能有着重要的影响,讨论了如何通过参数优化来改善一阶单环反馈D类功放的THD指标.在此基础上提出了一种双环反馈拓扑结构,通过数学分析显示该二阶闭环系统的THD指标能得到更进一步地改善.测试结果显示,双环结构D类功放的THD较单环得到了7倍的改善.     

一种高精度增强瞬态响应的锂离子电池充电器的设计

本文提出了一种改进的驱动锂离子电池充电器功率管的新型阻抗衰减缓冲(buffer)结构,并对电流环路的稳定性进行了详细的理论推导和分析。后端仿真表明,可编程电流高达800mA,浮空电压为4.2V,在4.5V～6.5V不同电源电压和不同器件模型下的精度为±0.4%。目前这款充电器产品已在上华(CSMC)0.5μmN阱工艺流片试制之中。     

一种高精度增强瞬态响应的锂离子电池充电器的设计

本文提出了一种改进的驱动锂离子电池充电器功率管的新型阻抗衰减缓冲（buffer）结构,并对电流环路的稳定性进行了详细的理论推导和分析。后端仿真表明,可编程电流高达800mA,浮空电压为4.2V,在4.5V～6.5V不同电源电压和不同器件模型下的精度为±0.4%。目前这款充电器产品已在上华（CSMC）0.5μmN阱工艺流片试制之中。